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J340-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-80A,RDS(ON),21mΩ@10V,25mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2.1Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: J340-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J340-VB

J340-VB概述

    J340-VB P-Channel 60-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    J340-VB 是一种P沟道60V(D-S)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这种晶体管采用先进的TrenchFET®技术制造,具有出色的性能和可靠性。该器件主要用于负载开关应用,如电源管理和控制电路。其高电压耐受能力和低导通电阻使其成为需要高效率和可靠性的应用的理想选择。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DS} \): -60V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±20V
    - 连续漏电流 \( I{D} \):
    - 在 \( TC = 25^\circ \text{C} \) 时: 80A
    - 在 \( TJ = 150^\circ \text{C} \) 时: 70A
    - 脉冲漏电流 \( I{DM} \): 150A
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 101mJ
    - 最大功耗 \( PD \):
    - 在 \( TC = 25^\circ \text{C} \) 时: 104.2W
    - 在 \( TC = 70^\circ \text{C} \) 时: 66.7W
    - 工作温度范围 \( TJ \) 和存储温度范围 \( T{stg} \): -55°C 到 150°C
    - 规格
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \): -60V
    - 栅源阈值电压 \( V{GS(th)} \): -1V 至 -3V
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - 在 \( V{GS} = -10 \text{V} \) 时: 0.019Ω
    - 在 \( V{GS} = -4.5 \text{V} \) 时: 0.025Ω
    - 输入电容 \( C{iss} \): 3500pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 390pF
    - 反向转移电容 \( C{rss} \): 290pF
    - 总栅电荷 \( Qg \): 76nC
    - 上升时间 \( tr \): 7ns 至 15ns
    - 下降时间 \( tf \): 40ns 至 60ns

    3. 产品特点和优势


    J340-VB 具备多项独特功能和优势,主要包括:
    - 高性能 TrenchFET® 技术: 提供更低的导通电阻和更高的电流处理能力。
    - 100% UIS 测试: 确保器件的可靠性。
    - 高电压耐受性: 能够承受高达60V的漏源电压。
    - 优异的热阻特性: 最大热阻为33°C/W,有助于更好地散热。
    - 宽工作温度范围: 从-55°C到150°C,适合多种恶劣环境下的应用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 负载开关: J340-VB 可用于电源管理中的负载开关,确保高效的电力分配。
    - 电池保护: 在电池管理系统中,可以用来保护电池免受过压或欠压影响。
    - 使用建议: 在使用过程中,建议确保栅极驱动信号在规定的范围内,以避免超过绝对最大额定值。同时,良好的散热设计是提高器件寿命的关键。

    5. 兼容性和支持


    J340-VB 使用标准的D2PAK封装(TO-263),易于与其他标准电子元件集成。厂商提供详尽的技术支持,包括产品文档、参考设计和客户支持热线(400-655-8788),确保用户能够顺利应用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 设备在高温下运行不稳定。
    - 解决方案: 确保设备周围有足够的散热空间,必要时增加外部散热器。
    - 问题2: 栅极驱动电压超出规定范围。
    - 解决方案: 检查驱动电路,确保驱动电压在规定的范围内。
    - 问题3: 设备在启动时出现不稳定现象。
    - 解决方案: 确认所有连接正确无误,检查电路布局和接地情况。

    7. 总结和推荐


    J340-VB 是一款高性能的P沟道60V MOSFET,适用于多种高要求的应用场合。其独特的技术特性和广泛的工作温度范围使其在市场上具备较强的竞争力。推荐在需要高效率和可靠性的负载开关和其他相关应用中使用该器件。
    此技术手册提供了J340-VB MOSFET的全面信息,旨在帮助工程师和技术人员更好地理解和使用该产品。

J340-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 80A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V
Rds(On)-漏源导通电阻 21mΩ@10V,25mΩ@4.5V
栅极电荷 -
FET类型 1个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J340-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J340-VB数据手册

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J340-VB封装设计

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