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UT4411-S08-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nP沟道,-30V,-7A,RDS(ON),23mΩ@10V,29mΩ@4.5V,66mΩ@2.5V,20Vgs(±V);-1.37Vth(V) 封装:SOP8\n用于电源管理、驱动和汽车电子等多种领域的模块中,其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择。
供应商型号: UT4411-S08-R-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT4411-S08-R-VB

UT4411-S08-R-VB概述

    UT4411-S08-R P-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    UT4411-S08-R 是一款 P 沟道 30V (D-S) MOSFET,属于 TrenchFET® 系列。它主要应用于负载开关和电池切换等领域。这款 MOSFET 的核心优势在于其低导通电阻(RDS(on))和高可靠性,使其在各种电源管理应用中表现出色。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | VDS(漏源电压) 30 V |
    | RDS(on)(导通电阻) | 0.018 0.024 | Ω |
    | ID(连续漏电流) 9.0 A |
    | Qg(总栅电荷) | 13 38 | nC |
    其他关键参数包括:
    - 绝对最大额定值:VDS 为 30V,VGS 为 ±20V
    - 动态特性:输入电容 Ciss 为 1455 pF,输出电容 Coss 为 180 pF
    - 热阻:最大结到环境热阻 RthJA 为 50°C/W,最大结到引脚热阻 RthJF 为 30°C/W

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:在不同 VGS 下(如 -10V 和 -4.5V),RDS(on) 分别为 0.018Ω 和 0.024Ω,保证了高效的电流传输。
    - 高可靠性:采用 TrenchFET® 技术,100% RG 测试确保产品可靠性。
    - 环保材料:根据 IEC 61249-2-21 定义,该产品无卤素。

    应用案例和使用建议


    UT4411-S08-R 主要应用于负载开关和电池切换,这些应用通常需要低导通电阻和高可靠性。例如,在笔记本电脑充电电路中,这种 MOSFET 可以有效地控制电流的流动,从而提高整体系统的能效。使用建议如下:
    - 在设计时应确保散热良好,以避免因过热而导致的性能下降。
    - 考虑使用额外的热沉来降低热阻,提升可靠性。

    兼容性和支持


    该产品采用标准的 SO-8 封装,便于集成到现有的电路板设计中。VBsemi 提供详尽的技术支持和文档资源,帮助客户快速上手并解决问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:产品在高温环境下性能下降
    - 解决方案:增加散热措施,如安装额外的热沉,以降低热阻。
    2. 问题:负载电流不稳定
    - 解决方案:检查电路中的连接和布线,确保所有连接牢固且线路设计合理。

    总结和推荐


    UT4411-S08-R P 沟道 30V MOSFET 具有出色的导通电阻和高可靠性,适用于多种电力管理应用。其低导通电阻、高可靠性和环保特性使它成为市场上的强有力竞争者。强烈推荐在负载开关和电池切换等应用场景中使用该产品。
    如果您有任何疑问或需要进一步的帮助,可以随时联系我们的服务热线:400-655-8788。

UT4411-S08-R-VB参数

参数
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.37V
Rds(On)-漏源导通电阻 23mΩ@10V,29mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 7A
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT4411-S08-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT4411-S08-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT4411-S08-R-VB UT4411-S08-R-VB数据手册

UT4411-S08-R-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
25+ ¥ 1.2635
100+ ¥ 1.1699
500+ ¥ 1.1231
4000+ ¥ 1.0763
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