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I1N60L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,2A,RDS(ON),4300mΩ@10V,20Vgs(±V);2Vth(V)封装:TO251可用于电源管理模块、太阳能光伏逆变器、LED驱动器、电动工具驱动器等产品,产品具有高漏极电阻和低漏极电流,适用于多种领域和模块。
供应商型号: I1N60L-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) I1N60L-VB

I1N60L-VB概述


    产品简介


    本文介绍的是一款由台湾VBsemi公司生产的N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel MOSFET),型号为I1N60L。该产品主要用于开关电源、变频器、逆变器、直流到交流转换器等电力电子应用领域。I1N60L具有低栅极电荷、高可靠性以及全面的电气特性和工作环境特性。

    技术参数


    以下是I1N60L的技术规格和性能参数:
    - 电压范围:
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 650 V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±30 V
    - 漏极连续电流 \( ID \):
    - 在 \( V{GS} = 10 \) V时: 1.28 A(\( TC = 25 \) °C)
    - 在 \( V{GS} = 10 \) V时: 8 A(脉冲模式,峰值温度限制)
    - 电阻参数:
    - 漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - 在 \( V{GS} = 10 \) V时: 4.0 Ω
    - 电容参数:
    - 输入电容 \( C{iss} \): 417 pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 45 pF
    - 门极电荷 \( Qg \): 11 nC
    - 动态参数:
    - 开关时间 \( td(on) \): 14 ns
    - 上升时间 \( tr \): 20 ns
    - 关断延迟时间 \( td(off) \): 34 ns
    - 下降时间 \( tf \): 18 ns
    - 其他参数:
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 165 mJ
    - 最大功率耗散 \( PD \): 45 W
    - 高温存储温度范围 \( T{J}, T{stg} \): -55 °C 至 +150 °C

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷: I1N60L的低栅极电荷使其驱动要求简单,有助于减少外部驱动电路的设计复杂度。
    - 高可靠性: 该产品具备增强的栅极、雪崩及动态dV/dt的耐用性,能够在苛刻的环境下稳定工作。
    - 全面的电气特性: 包括漏源电压、漏源电流、导通电阻等多个参数都经过严格测试,确保稳定性能。
    - 环保合规: I1N60L符合RoHS指令(2002/95/EC)和无卤素标准(JEDEC JS709A)。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    I1N60L通常用于电力转换装置,例如开关电源和逆变器。在这些应用中,它通过提供高可靠性和稳定的电气性能来保证系统的正常运行。
    使用建议
    为了确保最佳性能,在设计电路时应注意以下几点:
    - 选择合适的栅极电阻(RG)以优化开关速度和降低功耗。
    - 确保电路布局尽量减少寄生电感,特别是在高速开关情况下。
    - 设计良好的接地平面,以提高系统稳定性。

    兼容性和支持


    I1N60L与其他同类MOSFET和电源管理芯片具有良好的兼容性,适用于各种工业和商业用途。台湾VBsemi提供详尽的技术支持和售后保障,包括产品培训和技术咨询,帮助用户更好地利用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 栅源电压超出限制
    - 解决方案: 确保输入电压不超过额定范围(±30 V)。

    2. 漏源电流过大导致过热
    - 解决方案: 选择合适的散热措施,如增加散热片或采用强制风冷。
    3. 无法达到预期开关速度
    - 解决方案: 优化外部驱动电路,增加栅极电阻值以减慢开关速度。

    总结和推荐


    I1N60L是一款性能优异、适用广泛的N沟道功率MOSFET。它的低栅极电荷、高可靠性和全面的电气特性使其成为众多电力电子应用的理想选择。综合来看,我们强烈推荐I1N60L作为关键电力转换装置的核心组件。

I1N60L-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 4.3Ω(mΩ)
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通道数量 1
栅极电荷 -
FET类型 2个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 2A
长*宽*高 11.8mm*6.8mm*2.4mm
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

I1N60L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

I1N60L-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 I1N60L-VB I1N60L-VB数据手册

I1N60L-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.6556
4000+ ¥ 1.5836
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