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K4070-S15-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,2A,RDS(ON),4300mΩ@10V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO251 可用于电源管理模块、太阳能光伏逆变器、 LED驱动器、电动工具驱动器等产品,产品具有高漏极电阻和低漏极电流,适用于多种领域和模块。
供应商型号: K4070-S15-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K4070-S15-VB

K4070-S15-VB概述

    K4070-S15 MOSFET 技术手册

    产品简介


    K4070-S15 是一款 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种高电流和高电压应用。它的主要功能包括低门极电荷、改善的门极、雪崩及动态 dv/dt 耐受性。此款 MOSFET 非常适合于电源管理、电机驱动和逆变器等应用。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压 VDS | 650 | V |
    | 漏源导通电阻 RDS(on) | 4.0 | Ω |
    | 最大门源电压 VGS | ±30 | V |
    | 最大门极电荷 Qg | 11 | nC |
    | 最大门源电荷 Qgs | 2.3 | nC |
    | 最大门漏电荷 Qgd | 5.2 | nC |
    | 最大脉冲漏电流 IDM | 8 | A |
    | 最大重复雪崩能量 EAR | 6 | mJ |
    | 最大雪崩电流 IAR | 2 | A |
    | 最大功耗 PD | 45 | W |
    | 热阻抗 RthJA | 65 | °C/W |
    | 热阻抗 RthJC | 2.1 | °C/W |

    产品特点和优势


    - 低门极电荷:简化驱动要求,降低功耗。
    - 高可靠性:改进的门极、雪崩及动态 dv/dt 耐受性,确保设备在恶劣条件下的稳定运行。
    - 全面认证:所有参数均已完全认证,包括门极电荷和雪崩电压电流。
    - 符合 RoHS 指令:绿色环保,符合欧盟标准。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:适用于电源管理、电机驱动、逆变器等高电流高电压应用。根据手册中的图 1 和图 2,我们可以看到在不同门源电压和漏源电压下的典型输出特性。
    - 使用建议:为了确保最佳性能,在设计电路时应考虑低杂散电感和接地平面。此外,需要对负载进行合适的保护,特别是在使用峰值电流时。

    兼容性和支持


    K4070-S15 与其他标准 IPAK 封装的 MOSFET 兼容,支持广泛的电源管理和控制应用。厂商提供了详尽的技术支持文档,确保客户能够正确使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. Q:设备启动后发热严重?
    - A:检查散热设计是否合理,特别是热阻抗 RthJA 和 RthJC 是否符合要求。如果使用不当,可能导致过热。请确保良好的散热设计并检查是否有短路情况。

    2. Q:在高电压下工作不稳定?
    - A:检查最大漏源电压 VDS 是否符合要求。确保在正确的条件下工作,避免超出额定范围导致设备损坏。

    总结和推荐


    K4070-S15 MOSFET 以其出色的耐压、低门极电荷和全面的电气特性,成为电源管理和电机驱动应用的理想选择。它不仅具备出色的可靠性,还符合环保标准,是一款值得信赖的产品。强烈推荐使用该产品,尤其是在高电流和高电压应用中。
    如有任何问题,请联系我们的服务热线:400-655-8788。
    本文档仅供参考,具体参数可能有所变动,请以最新版手册为准。

K4070-S15-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 2A
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
栅极电荷 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 4.3Ω@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

K4070-S15-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K4070-S15-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K4070-S15-VB K4070-S15-VB数据手册

K4070-S15-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 1.7996
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