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IRFR3711ZPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道场效应管,具有20V的标称漏极-源极电压(VDS),±20V的标称栅极-源极电压(VGS),以及0.5~1.5V的阈值电压(Vth)。在VGS=2.5V时,其导通电阻(RDS(on))为6mΩ,在VGS=4.5V时为5mΩ。该器件最大漏极电流(ID)可达100A,采用Trench技术(沟槽结构),封装为TO252。该器件适用于需要高功率输出和稳定性能的电源管理和功率控制系统。
供应商型号: IRFR3711ZPBF-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFR3711ZPBF-VB

IRFR3711ZPBF-VB概述


    产品简介


    N-Channel 20-V MOSFET(N沟道20-V MOSFET)
    产品类型:N沟道MOSFET
    主要功能:该MOSFET采用TrenchFET®技术,提供低导通电阻(RDS(on))和高电流处理能力。适用于服务器、电源管理和DC/DC转换器等领域。
    应用领域:
    - OR-ing电路
    - 服务器
    - DC/DC转换器

    技术参数


    - VDS(漏源电压): 20 V
    - RDS(on)(导通电阻):
    - VGS = 4.5 V时,0.0025 Ω
    - VGS = 2.5 V时,0.0035 Ω
    - ID(连续漏极电流):
    - TC = 25 °C时,120 A
    - TC = 70 °C时,98 A
    - Pulse Drain Current(脉冲漏极电流): 200 A
    - Maximum Power Dissipation(最大功耗):
    - TC = 25 °C时,250 W
    - TC = 70 °C时,175 W
    - 绝对最大额定值:
    - Drain-Source Voltage(漏源电压): 20 V
    - Gate-Source Voltage(栅源电压): ±20 V
    - 工作温度范围:
    - Operation Junction and Storage Temperature Range(工作结温及存储温度范围): -55 to 175 °C

    产品特点和优势


    特点:
    - 采用TrenchFET®技术,确保高效的电流控制。
    - 100%经过Rg和UIS测试,保证可靠性。
    - 符合RoHS Directive 2011/65/EU标准,绿色环保。
    优势:
    - 高效的功率处理能力,适用于高要求的应用环境。
    - 优秀的热稳定性,能在宽广的工作温度范围内稳定工作。
    - 低导通电阻,减少功耗,提高效率。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在服务器电源管理中,用于高效电能传输。
    - 在DC/DC转换器中,作为关键的开关元件。
    使用建议:
    - 确保电路设计符合MOSFET的最大额定值,以避免过载导致的损坏。
    - 选择合适的散热措施,确保MOSFET的结温不超过最高允许值。
    - 考虑到环境温度的影响,适当调整电路的设计,确保最佳性能。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 该MOSFET与多种电子设备和电路板设计兼容,特别适用于工业和消费电子领域。
    - 与常见的直流电源系统和控制器配合良好。
    支持:
    - 制造商提供详细的技术文档和应用指南,帮助用户正确安装和使用产品。
    - 客户支持团队可提供专业的技术支持和故障排除服务。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何确定正确的散热措施?
    - 解决方案:参考技术手册中的散热要求,计算实际工作条件下的热阻,选择合适的散热片或风扇。
    问题2:如何验证MOSFET是否正常工作?
    - 解决方案:通过测量漏极电流和电压来确认工作状态。若存在异常,需检查外部电路连接。
    问题3:在高温环境下工作时应注意什么?
    - 解决方案:增加散热措施,确保结温不超过额定值。根据需要调整负载电流,减少发热。

    总结和推荐


    总结:
    IRFR3711ZPBF N-Channel 20-V MOSFET具有卓越的电气特性和可靠性能,适用于多种严苛的应用环境。其低导通电阻和高电流处理能力使其成为服务器、电源管理和DC/DC转换器领域的理想选择。
    推荐:
    对于需要高效电能管理和高可靠性电路设计的工程师,IRFR3711ZPBF是一款值得考虑的产品。它不仅能满足严格的性能需求,还能为客户提供优质的服务和支持。因此,强烈推荐给对高性能MOSFET有需求的用户。

IRFR3711ZPBF-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.55V
通道数量 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.5mΩ@4.5V,3.5mΩ@2.5V
Id-连续漏极电流 160A
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRFR3711ZPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFR3711ZPBF-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFR3711ZPBF-VB IRFR3711ZPBF-VB数据手册

IRFR3711ZPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 1.5547
2500+ ¥ 1.4899
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