处理中...

首页  >  产品百科  >  J621-T1B-A-VB

J621-T1B-A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nVBsemi的Single P系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种灵活多用、性能稳定的电子元件,适用于各种不同的领域和模块。\nVDS(漏极-源极电压)为-30V,VGS(栅极-源极电压)范围为±20V,阈值电压(Vth)为-1.7V。在VGS=4.5V时的导通电阻为54mΩ,在VGS=10V时为46mΩ,最大漏极电流(ID)为-5.6A(负数表示为P沟道器件),这些MOSFET采用Trench技术制造,封装形式为SOT23-3。
供应商型号: J621-T1B-A-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J621-T1B-A-VB

J621-T1B-A-VB概述


    产品简介


    P-Channel 30V (D-S) MOSFET 是一款适用于移动计算领域的高性能电源管理器件。它主要用于负载开关、笔记本适配器开关以及直流/直流转换器等领域。这款MOSFET采用先进的TrenchFET®技术制造,具有高可靠性及高效能的特点。

    技术参数


    - 基本参数
    - 漏源电压 (VDS):-30V
    - 栅源电压 (VGS):±20V
    - 最大连续漏极电流 (ID):-5.6A(TA = 25°C),-5.1A(TA = 70°C)
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):-18A
    - 最大功率耗散 (PD):2.5W(TC = 25°C),1.6W(TC = 70°C)
    - 最大热阻 (RthJA):75°C/W(最大值)
    - 电气特性
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 (VDS):-30V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)):-0.5V 至 -2.0V
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS):-1μA(VDS = -30V)
    - 动态参数
    - 输入电容 (Ciss):1295pF
    - 输出电容 (Coss):150pF
    - 反向传输电容 (Crss):130pF
    - 总栅电荷 (Qg):24nC(VDS = -15V)

    产品特点和优势


    - 高效率:采用TrenchFET®技术,保证了低导通电阻(RDS(on))和高电流承载能力。
    - 高可靠性:所有产品均经过100% Rg测试,确保在极端条件下的可靠运行。
    - 紧凑设计:TO-236封装,适合空间受限的应用场景。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 负载开关:用于笔记本电脑的电池管理,实现高效的电源切换。
    - 笔记本适配器开关:在不同的充电状态之间进行快速切换,提高整体效率。
    - 直流/直流转换器:在不同的电压等级之间进行平稳转换。
    使用建议:
    - 在选择合适的驱动电阻 (Rg) 时,应注意平衡开关速度和功耗。
    - 考虑到热管理的重要性,建议在高负载条件下使用额外的散热措施。

    兼容性和支持


    该MOSFET与大多数标准电路板兼容,可广泛应用于各种移动计算设备。厂商提供详尽的技术支持文档,包括安装指南和常见问题解答,以帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何选择合适的驱动电阻 (Rg)?
    - 解决方案:根据应用需求选择适当的Rg值,一般建议在1Ω至5Ω之间。
    - 问题2:如何处理过热问题?
    - 解决方案:使用散热片或散热风扇来降低工作温度,确保长期稳定运行。

    总结和推荐


    总结:
    - 主要优点:高效率、高可靠性、紧凑设计。
    - 推荐:强烈推荐用于需要高效电源管理的移动计算设备中。
    通过以上分析,可以看出这款P-Channel 30V (D-S) MOSFET是一款高性能且可靠的产品,非常适合用于各种移动计算设备的电源管理。

J621-T1B-A-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 47mΩ@10V,56mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
配置 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 5.6A
通道数量 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J621-T1B-A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J621-T1B-A-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 J621-T1B-A-VB J621-T1B-A-VB数据手册

J621-T1B-A-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
80+ ¥ 0.3493
300+ ¥ 0.3234
500+ ¥ 0.3105
3000+ ¥ 0.2975
库存: 400000
起订量: 80 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:80
合计: ¥ 27.94
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0