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F7834-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n该产品为单体N型MOSFET,具有以下特性:\n- 最大漏极电压(VDS)为30V,适用于中等功率应用。\n- 最大门源电压(VGS)为±20V,兼容多种驱动电路。\n- 阈值电压(Vth)为1.7V,具有良好的开关特性。\n- 在VGS=4.5V时,导通电阻为5m?;在VGS=10V时,导通电阻为4m?,具有低导通电阻和低开关损耗。\n- 最大漏极电流(ID)为18A,可满足多种应用场景的电流需求。\n- 采用Trench工艺,具有优异的热特性和可靠性。\n- 封装为SOP8,便于PCB布局和焊接。
供应商型号: F7834-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) F7834-VB

F7834-VB概述

    N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    本文介绍的是N-Channel 30-V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),它属于低压功率开关器件。该产品特别适用于笔记本CPU核心的高边同步整流器操作。其典型的应用领域包括但不限于笔记本电脑电源管理和高效能的电流控制场合。

    技术参数


    以下是该N-Channel 30-V MOSFET的主要技术参数:
    - 工作电压 (VDS): 30V
    - 连续漏极电流 (ID): 18A(环境温度25°C时)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 50A
    - 最大功耗 (PD): 4.5W(环境温度25°C时)
    - 栅极源极电压 (VGS): ±20V
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg): -55°C至150°C
    此外,该产品还具有出色的性能参数,例如在不同工作条件下,其栅极-源极漏电IGSS为±100nA,零栅极电压下的漏电流IDSS为1μA,以及特定条件下的导通电阻RDS(on)为0.004Ω(VGS=10V,ID=11A时)。

    产品特点和优势


    此款N-Channel 30-V MOSFET具有以下显著特点:
    - 无卤素设计:环保且安全。
    - 沟槽FET技术:提供更佳的性能与可靠性。
    - 高侧同步整流优化:适合笔记本CPU核心供电系统。
    - 100% Rg测试和100% UIS测试:确保产品质量,增加用户信心。
    这些特点使其成为市场上的热门选择,特别是在对产品性能要求严格的场合中表现尤为突出。

    应用案例和使用建议


    该产品广泛应用于笔记本电脑的CPU核心供电系统。例如,在高边同步整流器操作中,可以实现高效电流转换,从而提升整个系统的能源利用效率。建议在实际应用中注意散热设计,以确保器件在长期运行中的稳定性。

    兼容性和支持


    该N-Channel 30-V MOSFET采用标准SO-8封装,易于与多种电路板集成。同时,制造商提供了详细的技术文档和良好的客户支持服务,便于用户进行二次开发和故障排查。

    常见问题与解决方案


    以下列举了一些常见的问题及其解决方法:
    - 问题1:开机瞬间设备出现异常。
    - 解决办法:检查电路接线是否正确,确认输入电压符合规定范围。
    - 问题2:长时间工作后出现过热现象。
    - 解决办法:改善散热设计,如增加散热片或采用外部冷却装置。

    总结和推荐


    总体而言,这款N-Channel 30-V MOSFET在设计上考虑到了多种应用场景的需求,具备优良的电气特性和可靠的性能表现。针对不同的应用需求,其表现出色,能够满足用户的多样化要求。因此,推荐在需要高性能、低功耗及良好稳定性的应用场景中选用该产品。
    以上是对N-Channel 30-V MOSFET产品的详细介绍,旨在帮助用户更好地了解该产品的功能特点和适用场景。希望上述内容能为您的选型决策提供有价值的参考。

F7834-VB参数

参数
最大功率耗散 -
通道数量 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 18A
Vds-漏源极击穿电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@10V,6.5mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.72V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

F7834-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

F7834-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 F7834-VB F7834-VB数据手册

F7834-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.6525
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500+ ¥ 1.4688
4000+ ¥ 1.4077
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