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IRFBF20SPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,900V,7A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);TO263
供应商型号: IRFBF20SPBF-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFBF20SPBF-VB

IRFBF20SPBF-VB概述

    IRFBF20SPBF N-Channel 900V (D-S) Super Junction Power MOSFET

    产品简介


    IRFBF20SPBF是一款由VBsemi公司生产的N沟道超级结功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款产品主要应用于高电压电源转换领域,如服务器和电信电源供应、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及高强度放电(HID)照明和荧光灯镇流器等工业应用。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS): 900V
    - 最大导通电阻 (RDS(on)): 0.85Ω (在VGS=10V时)
    - 总栅极电荷 (Qg): 0nC
    - 栅极-源极电荷 (Qgs): 4nC
    - 栅极-漏极电荷 (Qgd): 11nC
    - 脉冲漏电流 (IDM): 受最高结温限制
    - 单次脉冲雪崩能量 (EAS): 170mJ
    - 最大耗散功率 (PD): 99W
    - 连续工作温度范围 (TJ, Tstg): -55°C至+150°C
    - 导通延迟时间 (td(on)): 视条件而定
    - 关断延迟时间 (td(off)): 视条件而定
    - 输出电容 (Coss): 视条件而定
    - 反向传输电容 (Crss): 视条件而定
    - 输入电容 (Ciss): 视条件而定

    产品特点和优势


    IRFBF20SPBF具有以下特点和优势:
    - 低开关和导通损耗: 低RDS(on)值和低栅极电荷(Qg)使其成为低损耗应用的理想选择。
    - 超低栅极电荷: 减少了开关损耗,提升了效率。
    - 低输入电容: 降低了门极驱动需求,减少了控制电路的成本和复杂度。
    - 耐用性强: 具备较高的雪崩能量等级,适合高可靠性应用。
    - 应用广泛: 适用于多种高压和高频电力转换场合。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源: 高效率、低损耗特性使其在这些应用中表现出色。
    - 开关模式电源 (SMPS): 低导通电阻(RDS(on))保证了良好的性能表现。
    - 工业设备: 能够承受宽泛的工作温度范围,适合各种恶劣环境下的应用。
    - 照明系统: 如HID和荧光灯照明,具备快速恢复特性和低损耗。
    使用建议:
    - 在设计电路时考虑其低栅极电荷和低输入电容的特点,简化驱动电路设计。
    - 鉴于其高的单次脉冲雪崩能量(EAS),设计者应该注意避免长期过载,确保散热效果良好。
    - 使用过程中要注意适当的驱动电压,以充分发挥其性能。

    兼容性和支持


    IRFBF20SPBF设计为D2PAK封装,具有良好的机械强度和可靠性。VBsemi公司提供了全面的技术支持和服务,包括详细的规格说明、数据手册以及故障排除指南。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 如何处理启动时的过电流?
    - 解决方案: 添加限流电阻或使用软启动电路。
    - 问题2: 如何防止栅极震荡?
    - 解决方案: 使用合适的栅极电阻来稳定驱动信号。
    - 问题3: 如何提升散热性能?
    - 解决方案: 使用散热片或者散热器,确保器件工作在安全温度范围内。

    总结和推荐


    IRFBF20SPBF是一款高性能的N沟道超级结功率MOSFET,具有优异的导通特性和高效的开关性能。它非常适合用于需要高电压、大功率的应用场合。鉴于其诸多优势和适用性,强烈推荐用于服务器电源、电信设备、工业控制系统及照明等领域。

IRFBF20SPBF-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 30V
配置 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 950mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 900V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 7A
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRFBF20SPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFBF20SPBF-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFBF20SPBF-VB IRFBF20SPBF-VB数据手册

IRFBF20SPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 10.4954
100+ ¥ 9.718
500+ ¥ 8.9405
1000+ ¥ 8.5518
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