处理中...

首页  >  产品百科  >  UT4957-S08-R-VB

UT4957-S08-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-8.5A,RDS(ON),21mΩ@10V,28mΩ@4.5V,12Vgs(±V);-1.8Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: UT4957-S08-R-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT4957-S08-R-VB

UT4957-S08-R-VB概述


    产品简介


    产品名称:UT4957-S08-R 双沟道P沟道30V(D-S)MOSFET
    产品类型:双沟道P沟道MOSFET
    主要功能:该器件为一款高效能、环保型的双沟道P沟道功率MOSFET,适用于负载开关电路。
    应用领域:
    - 笔记本电脑
    - 台式电脑
    - 游戏机
    - 其他需要高可靠性和低功耗的电路

    技术参数


    - 额定电压(VDS):30V
    - 最大持续漏源电流(ID):8.3A(TC=25°C)
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):32A
    - 最大工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 热阻:RthJA ≤ 50°C/W(典型值:38°C/W)

    产品特点和优势


    - 环保设计:采用无卤素材料,符合RoHS标准。
    - 高可靠性:经过100% UIS测试,确保在极端条件下的可靠性。
    - 卓越性能:采用先进的TrenchFET技术,具有低导通电阻(RDS(on))和高击穿电压(VDS)。
    - 兼容性强:符合JEDEC标准封装,便于集成到各种电路板设计中。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    该MOSFET器件广泛应用于笔记本电脑、台式电脑和游戏机等负载开关电路中。例如,在笔记本电脑电源管理中,可以有效地控制电池充电和放电过程。
    使用建议
    - 在选择散热器时,应确保散热能力足以应对器件的最大功耗。
    - 避免长时间超过绝对最大额定值的操作,以延长器件寿命。

    兼容性和支持


    - 兼容性:符合SO-8封装标准,可与其他SO-8封装的器件互换使用。
    - 支持:制造商提供详细的技术文档和支持服务,确保客户能够正确使用和维护该器件。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:MOSFET器件过热。
    - 解决方案:检查散热措施是否足够,考虑增加散热片或风扇。
    2. 问题:器件无法正常启动。
    - 解决方案:确认输入电压和驱动信号是否符合要求,检查连接线路是否有断路或短路现象。

    总结和推荐


    UT4957-S08-R 是一款高性能、高可靠的双沟道P沟道MOSFET,适合用于多种电子设备的负载开关电路。其环保设计、先进的TrenchFET技术和优秀的电气特性使其在市场上具有显著的竞争优势。建议在需要高效能和高可靠性的场合中使用此器件。

UT4957-S08-R-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 12V
Rds(On)-漏源导通电阻 21mΩ@10V,28mΩ@4.5V
配置 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 8.5A
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
FET类型 1个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT4957-S08-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT4957-S08-R-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT4957-S08-R-VB UT4957-S08-R-VB数据手册

UT4957-S08-R-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.6556
4000+ ¥ 1.5836
库存: 400000
起订量: 15 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 29.15
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504