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UT2308L-AE3-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V);0.45~1Vth(V) 封装:SOT23-3 \n 一款单 N 型场效应晶体管,适用于多种应用场景。其特点包括低阈值电压、低漏极-源极导通电阻和高漏极-源极电压。
供应商型号: UT2308L-AE3-R-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT2308L-AE3-R-VB

UT2308L-AE3-R-VB概述

    # UT2308L-AE3-R N-Channel 20 V MOSFET 技术手册

    产品简介


    产品类型
    UT2308L-AE3-R 是一种N沟道20V(D-S)MOSFET,属于高性能TrenchFET®功率MOSFET。
    主要功能
    - 用于直流/交流转换器和便携式应用中的负载开关。
    - 高度可靠的卤素-free设计。
    - 符合RoHS标准。
    应用领域
    - 直流/交流转换器
    - 便携式设备中的负载开关

    技术参数


    | 参数 | 规格 |

    | 漏源电压 (VDS) | 20 V |
    | 最大连续漏极电流 (ID) | 6 A |
    | 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 20 A |
    | 栅源电压 (VGS) | ± 12 V |
    | 最大功率耗散 (PD) | 2.1 W (TC=25°C), 1.3 W (TC=70°C) |
    | 最高工作温度 (TJ) | -55°C 至 +150°C |
    | 热阻 (RthJA) | 80 °C/W |
    | 转换电阻 (RDS(on)) | 0.028Ω (VGS = 4.5 V) |
    | 电容 (Ciss) | 865 pF (VDS = 10 V, VGS = 0 V) |
    | 总栅电荷 (Qg) | 8.8 nC (VDS = 10 V, VGS = 4.5 V) |
    | 栅电阻 (Rg) | 0.5 Ω (f = 1 MHz) |

    产品特点和优势


    - Halogen-Free Design:满足IEC 61249-2-21标准。
    - 100% Rg 测试:确保每个单元都经过栅极电阻测试。
    - 符合RoHS标准:无有害物质。
    - 高可靠性:百分之百测试的栅极电阻确保产品的长期稳定性。
    - 小尺寸:采用SOT-23封装,适用于空间受限的应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    UT2308L-AE3-R常用于需要高性能和紧凑设计的应用,如便携式设备和直流/交流转换器。例如,在手机充电器或笔记本电脑电源适配器中作为负载开关,可以显著提高效率和可靠性。
    使用建议
    - 在使用时应避免超过最大额定值,以防止损坏。
    - 考虑散热需求,特别是在高温环境下长时间运行时。
    - 可通过减少寄生电容来优化开关速度,例如使用较小的引脚布局。

    兼容性和支持


    - 与大多数标准电路板兼容,特别适用于SOT-23封装。
    - 供应商提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的资料和技术文档。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 漏电流过高 | 检查电路板设计是否合理,是否需要优化布局和布线 |
    | 过热现象 | 添加散热片或风扇,提高散热效率 |
    | 开关时间过长 | 减少外部栅极电阻 (Rg),加快开关速度 |

    总结和推荐


    UT2308L-AE3-R 是一款高可靠性的N沟道MOSFET,非常适合于各种便携式设备和直流/交流转换器应用。其出色的电气特性和可靠性使其成为市场上极具竞争力的产品。我们强烈推荐这一产品给需要高性能和高可靠性的客户。

UT2308L-AE3-R-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 8V
通道数量 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 6A
Vds-漏源极击穿电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 450mV~1V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT2308L-AE3-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT2308L-AE3-R-VB数据手册

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UT2308L-AE3-R-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
115+ ¥ 0.2328
300+ ¥ 0.2156
500+ ¥ 0.207
3000+ ¥ 0.1984
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交货地:
最小起订量为:115
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型号 价格(含增值税)
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