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NTJD4152PT1G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,20V,2A,RDS(ON),150mΩ@4.5V,170mΩ@2.5V,8Vgs(±V);0.8Vth(V) 封装:SC70-6
供应商型号: NTJD4152PT1G-VB SC70-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTJD4152PT1G-VB

NTJD4152PT1G-VB概述

    Dual N-Channel 20V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    本手册描述的是Dual N-Channel 20V (D-S) MOSFET(型号:NTJD4152PT1G),这是一种高性能、低电阻、高电流处理能力的双通道N沟道MOSFET。该产品适用于便携式应用中的负载开关,具有多种优势,如低静态导通电阻、快速开关速度及较高的击穿电压。这些特性使其成为电源管理、电池充电电路、便携式电子设备及汽车电子应用的理想选择。

    技术参数


    - 主要规格
    - VDS(漏源电压):20 V
    - 最大连续漏电流:2.6 A @ 25 °C
    - 最大脉冲漏电流:8 A
    - 静态导通电阻:
    - 在VGS=4.5 V,ID=1 A时为0.086 Ω
    - 在VGS=2.5 V,ID=1 A时为0.110 Ω
    - 在VGS=1.8 V,ID=0.2 A时为0.180 Ω
    - 有效热阻:
    - 最大结到环境热阻:170 °C/W
    - 最大结到脚热阻:100 °C/W
    - 电气特性
    - 极限参数
    - 漏源电压VDS:20 V
    - 栅源电压VGS:±12 V
    - 动态参数
    - 总栅电荷Qg:5.0 nC
    - 上升时间tr:80 ns至120 ns

    产品特点和优势


    1. 极低的导通电阻:静态导通电阻最低可达0.086 Ω,确保了高效率的应用。
    2. 高可靠性:采用TrenchFET®技术,100% Rg测试通过,典型ESD保护等级达2100 V HBM。
    3. 快速开关:出色的动态特性,包括较低的总栅电荷和快速的上升时间,使得它非常适合需要快速响应的应用。
    4. 环境友好:符合RoHS标准和IEC 61249-2-21定义的无卤材料要求。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 负载开关:用于便携式应用中的电池管理系统,能有效控制电流并降低功耗。
    - 电池充电器:快速稳定的充电过程得益于其低电阻和快速响应。
    - 使用建议:
    - 确保使用适当的散热措施以避免因过热导致的损坏。
    - 使用合适的驱动电路来减少开关损耗,提高系统效率。


    兼容性和支持


    - 兼容性:该MOSFET采用SOT-363和SC-70封装,适用于多种表面贴装技术。
    - 支持和服务:厂商提供详尽的技术支持和应用指南。建议客户在设计前查阅相关文档,以确保最佳使用效果。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何防止MOSFET过热?
    - A: 通过增加外部散热器或改善PCB布局以增强散热效果。

    - Q: 开关频率过高导致的损耗如何减少?
    - A: 使用低Rg驱动器以降低开关损耗;确保栅极驱动信号的完整性以减少开关噪声。

    总结和推荐


    总体而言,Dual N-Channel 20V (D-S) MOSFET NTJD4152PT1G凭借其卓越的性能和广泛的应用场景,成为了众多电子设备的理想选择。其低电阻、快速开关能力和高度可靠性使其在市场上具备显著的竞争优势。强烈推荐给对高性能、低功耗电子设备有需求的用户。

NTJD4152PT1G-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 2A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 800mV
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
栅极电荷 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 150mΩ@4.5V,170mΩ@2.5V
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 8V
通用封装 SC-70-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NTJD4152PT1G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTJD4152PT1G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTJD4152PT1G-VB NTJD4152PT1G-VB数据手册

NTJD4152PT1G-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 0.6221
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