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IRF620STRR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,200V,10A,RDS(ON),260mΩ@10V,370mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: IRF620STRR-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF620STRR-VB

IRF620STRR-VB概述

    IRF620STRR Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRF620STRR 是一种表面贴装的 N-沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由台湾 VBsemi 公司生产。这种器件广泛应用于需要高速开关的应用中,如电源管理、电动机控制、高频逆变器等。它具有多种优势,如低导通电阻(RDS(on))、动态 dv/dt 评级和重复性雪崩额定值。该产品还符合RoHS指令2002/95/EC,是一种无卤素的产品。

    技术参数


    - 基本参数:
    - 最高耐压 VDS: 200V
    - 导通电阻 RDS(on): 0.30Ω (VGS = 10V)
    - 门电荷 Qg: 43nC (最大值)
    - 门源电荷 Qgs: 7.0nC
    - 门漏电荷 Qgd: 23nC
    - 脉冲漏极电流 IDM: 36A
    - 单脉冲雪崩能量 EAS: 250mJ
    - 重复雪崩电流 IAR: 9.0A
    - 重复雪崩能量 EAR: 7.4mJ
    - 峰值二极管恢复 dv/dt: 5.0V/ns
    - 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
    - 绝对最大额定值:
    - 漏极-源极电压 VDS: 200V
    - 栅极-源极电压 VGS: ±20V
    - 连续漏极电流 ID: 10V 下为 6.7A (TC = 25°C),100°C 下为 6.7A
    - 最大功率耗散 PD: 74W (TC = 25°C)
    - 典型特性:
    - 输出特性、转移特性、电容特性等

    产品特点和优势


    1. 无卤素设计: 符合 IEC 61249-2-21 的标准,确保环保。
    2. 高速开关: 快速开关时间,适合高频应用。
    3. 易于并联: 易于实现多芯片并联,提高电流处理能力。
    4. 简单驱动要求: 需要简单的驱动电路,方便集成。
    5. 重复性雪崩额定值: 可以承受高能量脉冲。
    6. 罗氏指令兼容: 符合 RoHS 指令,符合欧盟环保标准。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 电动机控制: IRF620STRR 可用于控制直流电机的调速。
    - 电源转换器: 适用于高频逆变器,如开关电源中的半桥电路。
    - 高频信号放大: 在通信设备中作为射频放大器的开关元件。
    - 使用建议:
    - 在选择驱动电路时,注意栅极驱动电阻 Rg,以确保足够的开关速度和稳定性。
    - 使用较大的散热器以降低工作温度,延长使用寿命。
    - 在高频应用中,注意电路布局,减少寄生电感的影响。

    兼容性和支持


    - 兼容性:
    - IRF620STRR 可以与现有的标准 PCB 设计兼容,支持快速集成到现有系统中。

    - 支持和维护:
    - VBsemi 公司提供详尽的技术文档和客户支持,包括安装指南、应用笔记和常见问题解答。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 开关频率过高导致发热严重。
    - 解决方案: 增加散热措施,使用更大的散热片或者改进散热设计。

    2. 问题: 开关速度过快,导致驱动电路失效。
    - 解决方案: 优化驱动电路的设计,适当调整栅极电阻和门电荷。

    总结和推荐


    综上所述,IRF620STRR 是一款高性能的 N-沟道 MOSFET,具备出色的电气特性和可靠的操作性能。它的无卤素设计、高可靠性以及简便的驱动要求使其成为多种应用的理想选择。对于需要高频开关性能的应用,特别是电力电子和工业控制系统领域,推荐使用此产品。

IRF620STRR-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.2V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 10A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 260mΩ@10V,370mΩ@4.5V
配置 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF620STRR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF620STRR-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF620STRR-VB IRF620STRR-VB数据手册

IRF620STRR-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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