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9922GEO-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,8.6A,RDS(ON),10mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TSSOP8
供应商型号: 9922GEO-VB TSSOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 9922GEO-VB

9922GEO-VB概述

    文章:VBsemi 双通道 30V N-Channel MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    VBsemi 的 9922GEO 是一款高性能的双通道 30V N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于电源管理和电机控制等领域。它采用了 TrenchFET® 技术,具备低导通电阻(RDS(on))和高开关速度等优点,特别适合于高频、大电流应用场合。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS 30 | V |
    | 栅极阈值电压 | VGS(th) | 1.5 | 3.0 | V |
    | 零栅压漏电流 | IDSS | 1 | 25 | µA |
    | 栅源电荷 | Qg 13 | nC |
    | 栅极最大连续电流 | IGSS | ±200 | nA
    | 最大工作温度 | TJ, Tstg | -55 | 150 | °C |
    该产品具备出色的热阻特性,静态热阻 RthJA 为 72-83°C/W,确保在高温环境下的稳定运行。此外,它还具有极低的栅极电荷(Qg),能够在高速开关应用中表现出色。

    3. 产品特点和优势


    VBsemi 的 9922GEO 具有以下几个独特的优势:
    - 低导通电阻(RDS(on)):在栅极电压 VGS = 10V 时仅为 0.012Ω,在 VGS = 4.5V 时为 0.019Ω,这使得其在大电流应用中表现出色。
    - 高开关速度:其低栅极电荷(Qg = 13nC)使得开关速度显著提升,适用于高频应用。
    - 宽工作温度范围:-55°C 到 150°C 的宽泛温度范围,适应各种恶劣环境。
    - 无卤素选项:满足现代环保要求,适用于对环保有严格要求的应用场合。

    4. 应用案例和使用建议


    VBsemi 的 9922GEO 主要应用于电源管理、电机控制、电池充电器及电源适配器等领域。在实际应用中,建议在高功率应用中采用散热措施,以确保器件的长期稳定性。例如,在 PCB 布局设计时,可以考虑增加散热片或使用高导热材料,以提高散热效率。

    5. 兼容性和支持


    VBsemi 提供全面的技术支持,包括详细的安装指南和应用笔记,以帮助客户更好地理解和使用这款 MOSFET。同时,该产品与主流电路板材料(如 FR4)完全兼容,能够方便地进行表面贴装。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:在高频应用中出现过温现象。
    解决方案:增加外部散热措施,如使用散热片或加大散热面积。

    - 问题:长时间工作后性能下降。
    解决方案:检查是否存在热失控现象,确保散热系统正常工作。

    7. 总结和推荐


    综上所述,VBsemi 的 9922GEO 是一款优秀的双通道 30V N-Channel MOSFET,适用于需要高性能和高可靠性的应用场合。其独特的低导通电阻、高开关速度以及宽温度范围使其在市场上具备较强的竞争力。我们强烈推荐该产品用于高频、大电流应用领域,能够显著提升系统性能并确保长期可靠性。
    通过本文档,您可全面了解 VBsemi 9922GEO 的技术规格、优势及其应用案例,希望能够帮助您在选择和使用该产品时更加得心应手。

9922GEO-VB参数

参数
通道数量 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@10V,12mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 8.6A
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TSSOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

9922GEO-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

9922GEO-VB数据手册

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9922GEO-VB封装设计

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