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FZ34G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,50A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO220 是一款单通道N沟道场效应管,具有适中的电压容限和漏极电流,适用于中功率应用场景。
供应商型号: FZ34G-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FZ34G-VB

FZ34G-VB概述

    FZ34G-VB N-Channel 60V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FZ34G-VB 是一款 N-Channel 60V MOSFET,主要应用于需要高效率和快速开关的场合。该产品具有无卤素、表面贴装等特点,适用于广泛的工业应用领域,如电源管理、电机控制、电动汽车充电系统等。

    2. 技术参数


    - 基本参数:
    - 电压范围:60V(Drain-Source Voltage, VDS)
    - 连续漏极电流(TC = 25°C):50A
    - 漏极-源极导通电阻(RDS(on)):
    - 在 VGS = 10V 时为 0.024Ω
    - 在 VGS = 4.5V 时为 0.028Ω
    - 最大功率耗散(TC = 25°C):150W
    - 最大单脉冲雪崩能量(EAS):400mJ
    - 动态参数:
    - 动态 dV/dt 额定值:4.5V/ns
    - 转换电容(Ciss):190-190pF
    - 输出电容(Coss):未提供
    - 反向传输电容(Crss):未提供
    - 静态参数:
    - 门限电压(VGS(th)):1.0V - 2.5V
    - 零门电压漏极电流(IDSS):≤ 25μA
    - 热阻抗参数:
    - 最大结到环境的热阻(RthJA):62°C/W
    - 最大结到外壳(Drain)的热阻(RthJC):1.0°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 无卤素:符合IEC 61249-2-21标准。
    - 快速开关:动态 dV/dt 额定值高,适合高频应用。
    - 逻辑级门驱动:兼容常见的逻辑信号,便于集成。
    - 高可靠性:符合RoHS Directive 2002/95/EC要求,环保且适用于现代电子产品。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用场景:FZ34G-VB 广泛应用于电源管理和电机控制等领域。例如,在开关电源中作为高效能的开关管使用,可以显著提升电源转换效率。
    - 使用建议:在设计电路时,应确保电路板的布局合理,以降低寄生电感。使用散热良好的PCB设计,特别是当使用大电流时,需考虑散热片的设计。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该产品支持标准的表面贴装工艺(Tape and Reel),易于集成到现有的制造流程中。
    - 厂商支持:制造商提供了详尽的技术文档和支持服务,用户可通过服务热线获取更多技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题一:产品过热。
    - 解决方案:增加散热措施,如使用散热片或优化PCB设计。
    - 问题二:开关损耗大。
    - 解决方案:选择更小的栅极电阻(Rg)来加速开关过程,从而减少开关损耗。
    - 问题三:驱动电压不稳定。
    - 解决方案:确保驱动电压稳定,并使用合适的电容滤波。

    7. 总结和推荐


    总体而言,FZ34G-VB是一款高性能的N-Channel 60V MOSFET,具有高效率、快速开关和良好的可靠性。其在各种工业应用中表现出色,特别是在电源管理和电机控制方面。推荐用于需要高效能、可靠性和快速开关特性的场合。
    请注意,上述内容是根据提供的技术手册内容整理而成,具体应用时请参照最新版技术手册进行验证。

FZ34G-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 50A
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
通道数量 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@10V,28mΩ@4.5V
配置 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FZ34G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FZ34G-VB数据手册

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FZ34G-VB封装设计

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