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J265-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-30A,RDS(ON),58mΩ@10V,69mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~ -3Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: J265-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J265-VB

J265-VB概述

    J265-VB P-Channel 60V MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    J265-VB 是一款P沟道60V(D-S)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它采用TrenchFET®技术制造,具有高可靠性、低导通电阻和高电流处理能力的特点。这款MOSFET适用于多种电源管理和控制应用,如开关电源、电池管理、电机驱动等。

    技术参数


    以下是J265-VB的主要技术参数:
    - 额定电压 (VDS):-60V
    - 最大连续漏极电流 (ID):-30A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):-100A
    - 最大单次雪崩能量 (EAS):51mJ
    - 最大功率耗散 (PD):41.7W
    - 热阻 (RthJA):60°C/W
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压 (VDS):-60V
    - 门限电压 (VGS(th)):-1V 至 -2.5V
    - 零门电压漏极电流 (IDSS):-1μA
    - 导通状态漏极电流 (ID(on)):-30A
    - 导通状态漏极源极电阻 (RDS(on)):
    - VGS = -10V 时:0.050Ω
    - VGS = -4.5V 时:0.060Ω
    - 动态参数:
    - 输入电容 (Ciss):1765pF
    - 输出电容 (Coss):230pF
    - 反向传输电容 (Crss):180pF
    - 总栅极电荷 (Qg):67nC
    - 门源电荷 (Qgs):13.5nC
    - 门漏电荷 (Qgd):14nC
    - 开启延迟时间 (td(on)):10ns 至 20ns
    - 上升时间 (tr):11ns 至 20ns
    - 关断延迟时间 (td(off)):42ns 至 63ns
    - 下降时间 (tf):12ns 至 20ns
    - 二极管参数:
    - 源极漏极二极管持续电流 (IS):-36A
    - 源极漏极二极管脉冲电流 (ISM):-100A
    - 正向电压 (VSD):-0.8V 至 -1.5V
    - 反向恢复时间 (trr):38ns 至 57ns
    - 峰值反向恢复电流 (IRM(REC)):2.3A 至 3.5A
    - 反向恢复电荷 (Qrr):40nC 至 60nC

    产品特点和优势


    1. 高可靠性:J265-VB经过100% Rg和UIS测试,确保了其在极端条件下的稳定性和可靠性。
    2. 低导通电阻:其导通状态下的漏极源极电阻低至0.050Ω,保证了高效的能量转换。
    3. 快速响应:优秀的动态参数使得其在高频开关应用中表现优异。
    4. 环保材料:符合RoHS指令和无卤素标准,满足环保要求。

    应用案例和使用建议


    - 开关电源:适用于需要高效率和低损耗的开关电源设计。
    - 电池管理系统:用于电池充放电控制,保证电池的安全和高效使用。
    - 电机驱动:适用于电机驱动电路,提供精确的电流控制和保护。
    使用建议:
    - 在选择外部电路元件时,确保它们能够承受MOSFET的瞬态电压和电流。
    - 考虑散热设计,特别是在高功率应用中,以避免过热导致的性能下降。

    兼容性和支持


    - 兼容性:J265-VB可与多种电源管理和控制电路兼容,具体兼容性需参考具体应用需求。
    - 支持:厂商提供全面的技术支持和售后服务,包括产品选型指导、应用技术支持等。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何选择合适的栅极电阻?
    - 解答:根据具体应用需求选择合适的栅极电阻,一般建议使用1Ω至5Ω之间的电阻。
    - 问题2:如何避免过热?
    - 解答:确保良好的散热设计,例如增加散热片或使用散热器,保持器件温度在安全范围内。
    - 问题3:如何进行可靠性的测试?
    - 解答:按照厂商提供的测试方法进行UIS测试和Rg测试,确保器件在极限条件下的可靠性。

    总结和推荐


    J265-VB P-Channel 60V MOSFET是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET,适用于多种电源管理和控制应用。其低导通电阻、快速响应时间和高可靠性使其成为许多高要求应用的理想选择。强烈推荐在需要高效率和高可靠性的场合使用此产品。

J265-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 30A
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个P沟道
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -1V~-3V
Rds(On)-漏源导通电阻 58mΩ@10V,69mΩ@4.5V
配置 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

J265-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J265-VB数据手册

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J265-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.9159
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500+ ¥ 2.5919
1000+ ¥ 2.4839
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