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RU60E25R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,50A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO220 是一款单通道N沟道场效应管,具有适中的电压容限和漏极电流,适用于中功率应用场景。
供应商型号: RU60E25R-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) RU60E25R-VB

RU60E25R-VB概述

    RU60E25R N-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    RU60E25R 是一款 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel MOSFET),其主要功能是用作开关电路中的电子开关,适用于各种电源管理和电机控制等应用领域。它具有卤素无害特性,符合 RoHS 规定,且提供表面贴装(Surface Mount)封装,支持通过卷带包装运输。

    技术参数


    - 额定电压(VDS):60V
    - 最大栅源电压(VGS):±20V
    - 连续漏极电流(ID):在 TC = 25 °C 时为 50A,在 TC = 100 °C 时为 36A
    - 脉冲漏极电流(IDM):200A
    - 最大耗散功率(PD):在 TC = 25 °C 时为 150W,安装在 PCB 上时为 3.7W
    - 热阻(RthJA):最大 62°C/W
    - 输入电容(Ciss):190 pF
    - 输出电容(Coss):未明确数值
    - 反向传输电容(Crss):未明确数值
    - 典型导通电阻(RDS(on)):在 VGS = 10V 时为 0.024Ω,在 VGS = 4.5V 时为 0.028Ω
    - 驱动栅电荷(Qg):最大 66nC
    - 体二极管特性:
    - 持续源漏二极管电流(IS):50A
    - 脉冲二极管正向电流(ISM):200A
    - 二极管恢复时间(trr):130~180ns
    - 反向恢复电荷(Qrr):0.84~1.3μC

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:0.024Ω 和 0.028Ω 分别在不同的栅极电压下表现出优异的导通性能,确保高效率的电流控制。
    2. 快速开关特性:能够以纳秒级的速度实现开闭切换,满足高速电子电路的需求。
    3. 高可靠性:符合RoHS标准,卤素无害,确保了产品的环保和安全。
    4. 出色的散热能力:最大热阻较低,有利于散热设计。

    应用案例和使用建议


    1. 电源管理:可以应用于各种类型的开关电源,例如用于电池充电器、电源适配器和DC-DC转换器中。
    2. 电机驱动:适用于驱动直流电动机或步进电动机,特别是在需要高频切换的应用中。
    3. LED照明:可作为高效率的开关器件用于LED背光或调光应用。

    建议:在使用时注意散热设计,保持良好的通风环境,以延长使用寿命。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品适合大多数表面贴装设备,可用于标准的PCB制造流程。
    - 支持和维护:厂商提供全面的技术文档和技术支持,包括在线资源和服务热线,客户可以随时获得帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何确定最佳的工作温度范围?
    - 解决方案:查阅产品手册,注意在不同温度下的额定值变化,避免超过规定的操作温度范围。

    2. 问题:如何防止热过载?
    - 解决方案:进行热设计时考虑热阻抗,适当增加散热器,确保器件不会长时间工作在高温状态下。

    总结和推荐


    RU60E25R N-Channel MOSFET 是一款高效可靠的电子元器件,适用于多种应用场合,特别是对高效率、快速开关速度和宽工作温度范围有要求的场景。它的独特优势在于低导通电阻、快速开关特性以及环保材料。总的来说,这是一款值得推荐的产品。

RU60E25R-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 50A
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@10V,28mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
通道数量 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

RU60E25R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

RU60E25R-VB数据手册

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RU60E25R-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 1.6207
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型号 价格(含增值税)
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