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4575GM-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N+P沟道,±60V,6.5/-5A,RDS(ON),28/51mΩ@10V,34/60mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1.9Vth(V) 封装:SOP8可用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备领域。
供应商型号: 4575GM-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 4575GM-VB

4575GM-VB概述

    N-Channel and P-Channel 60V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    本手册介绍了两种不同的功率场效应晶体管(MOSFET):N-Channel和P-Channel 60V MOSFET。这两种MOSFET均采用TrenchFET技术制造,具有出色的电气特性和可靠性,适用于多种应用场合,如CCFL逆变器、电源管理和电机控制等。

    2. 技术参数


    | 参数名称 | N-Channel | P-Channel |
    |
    | 额定漏源电压(VDS) | 60 V | - 60 V |
    | 漏极连续电流(ID) | 5.3 A (25°C) | 4.9 A (25°C) |
    | 最大脉冲漏极电流(IMD) | 20 A | 25 A |
    | 输入电容(Ciss) | 665 pF (1 MHz) | 650 pF (1 MHz) |
    | 输出电容(Coss) | 75 pF | 95 pF |
    | 反向传输电容(Crss) | 40 pF | 60 pF |
    | 总栅极电荷(Qg) | 13 nC (30 V) | 14.5 nC (30 V) |

    3. 产品特点和优势


    - 高效率:N-Channel MOSFET在10 V栅极电压下的导通电阻仅为0.026 Ω,而P-Channel MOSFET为0.055 Ω。
    - 低栅极电荷:N-Channel MOSFET的总栅极电荷低至13 nC (30 V),P-Channel MOSFET为14.5 nC。
    - 卓越的热性能:最大结到壳热阻RthJA为55 °C/W (N-Channel) 和 53 °C/W (P-Channel)。
    - 宽温度范围:适用于-55°C到150°C的工作环境,确保在极端条件下稳定运行。

    4. 应用案例和使用建议


    - CCFL逆变器:这种MOSFET特别适合用于CCFL逆变器,以实现高效的电路切换。
    - 电机控制:可用于各种类型的电机驱动,提供快速开关和高效控制。
    - 电源管理:在高功率转换应用中,如服务器电源和工业电源中表现出色。
    使用建议:
    - 确保在设计电路时考虑热管理,特别是在高电流情况下。
    - 在使用前验证MOSFET的电气特性与预期应用要求匹配。

    5. 兼容性和支持


    这些MOSFET适用于大多数标准封装,如SO-8封装,与现有的PCB布局兼容性良好。厂商提供详尽的技术支持文档,包括设计指南和故障排除指南,以帮助用户优化设计和提高系统可靠性。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:栅极电压超过绝对最大值可能会损坏设备。
    解决方案:确保在操作过程中严格遵守规定的栅极电压限制。
    - 问题2:设备过热导致的损坏。
    解决方案:增加散热片或改进冷却方案,确保设备工作在安全温度范围内。

    7. 总结和推荐


    这款N-Channel和P-Channel 60V MOSFET以其出色的电气性能、低功耗和广泛的适用性成为各类电源管理和电机控制应用的理想选择。我们强烈推荐使用这些MOSFET以满足您的设计需求,并保证系统的高效运行和长期可靠性。

4575GM-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 28/51mΩ@10V,34/60mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
FET类型 N+P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 ±60V
Id-连续漏极电流 6.5A,5A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 ±1.9V
通道数量 -
栅极电荷 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

4575GM-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

4575GM-VB数据手册

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4575GM-VB封装设计

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