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JCS7N65F-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: JCS7N65F-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS7N65F-VB

JCS7N65F-VB概述

    JCS7N65F Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    JCS7N65F 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高可靠性电源转换应用设计。这种 MOSFET 主要用于服务器和电信电源供应系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源供应系统以及照明控制等领域,包括高强度放电灯(HID)和荧光灯镇流器等。

    2. 技术参数


    - 工作电压范围:最大漏源击穿电压 VDS 为 650 V。
    - 最大持续漏电流:在结温 150°C 下,最大漏极电流 ID 为 7.0 A。
    - 导通电阻:在 25°C 时,VGS = 10 V 时的最大导通电阻 RDS(on) 为 0.1 Ω。
    - 总栅极电荷:最大值 Qg 为 16 nC。
    - 输入电容:Ciss 最大值为 141 pF。
    - 绝对最大额定值:VGS 为 ±30 V,最大脉冲漏极电流 IDM 为 7.0 A。
    - 热阻抗:最大结点到环境的热阻 RthJA 为 63°C/W,最大结点到外壳的热阻 RthJC 为 0.6°C/W。

    3. 产品特点和优势


    JCS7N65F MOSFET 的显著特点是低栅极电荷 (Qg),这有助于减少开关损耗并提高效率。此外,其较低的反向恢复电荷 Qrr 使得它在高频切换应用中表现出色。具体来说,这款 MOSFET 具有低开关损耗和导通损耗,能够提高整个系统的能效。

    4. 应用案例和使用建议


    JCS7N65F 主要应用于高效率电源转换器和高频率切换电路中。在实际应用中,该 MOSFET 可以作为服务器电源、电信设备及工业自动化系统中的核心部件。使用时建议遵循推荐的焊接温度和时间(如焊锡峰值温度不超过 300°C 且保持时间不超过 10 秒),以确保焊接质量。另外,在高频率切换场景下,应该考虑降低寄生电感,使用接地平面设计,以避免不必要的噪声干扰。

    5. 兼容性和支持


    JCS7N65F 与其他同类产品具有良好的兼容性,可以方便地集成到现有的电路板设计中。VBsemi 公司提供了详尽的技术文档和支持服务,客户可以通过官方网站下载最新的技术手册和产品规范,并可通过官方服务热线 400-655-8788 获取进一步的技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 如何判断 JCS7N65F 是否过热?
    - A: 在正常工作状态下,监控 MOSFET 的外壳温度,如果温度超过 150°C 则需要采取措施降温。
    - Q: MOSFET 出现异常时如何检测?
    - A: 可以通过测量 VGS 和 IDS 来判断 MOSFET 是否正常工作。如果发现 VGS 超出预期范围,可能是栅极损坏或驱动电路有问题。
    - Q: 遇到栅极振荡问题怎么办?
    - A: 优化驱动电路,适当增加栅极电阻,或在驱动电路中添加去耦电容来抑制振荡现象。

    7. 总结和推荐


    总体而言,JCS7N65F MOSFET 是一款高效且可靠的组件,特别适合高效率电源转换应用。其低导通电阻和低栅极电荷使其成为现代电力电子设备的理想选择。虽然产品有一定的成本,但其出色的性能和长期稳定性使其具有很高的性价比。我们强烈推荐此产品用于各种高要求的电力转换和控制场合。

JCS7N65F-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
最大功率耗散 -
配置 -
Id-连续漏极电流 7A
Vds-漏源极击穿电压 650V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS7N65F-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS7N65F-VB数据手册

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JCS7N65F-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 3.1093
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