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9997GK-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,5A,RDS(ON),100mΩ@10V,120mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:SOT223-3
供应商型号: 9997GK-VB SOT223-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 9997GK-VB

9997GK-VB概述

    电子元器件产品技术手册

    产品简介


    本手册介绍的是VBsemi公司生产的一款N沟道100V(D-S)MOSFET,型号为9997GK。这款产品采用SOT-223封装形式,具有无卤素特性,符合IEC 61249-2-21标准定义。其主要功能是作为电源管理电路中的开关元件,适用于各种电子设备的控制和驱动。

    技术参数


    - 最大击穿电压 (VDS):100V
    - 门源电压 (VGS):±20V
    - 连续漏极电流 (TJ = 175°C):5.0A (TA = 25°C), 4.5A (TA = 70°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):25A
    - 雪崩电流 (IAS):15A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):11mJ
    - 最大功率耗散 (TA = 25°C):3.3W (TA = 70°C),1.7W
    - 热阻(最大,稳态):RthJA:45°C/W, RthJF:20°C/W
    - 工作温度范围:TJ, Tstg:-55°C 至 175°C
    - 最大栅源泄露电流 (IGSS):±100nA (VDS = 0V, VGS = ±20V)
    - 零门电压漏极电流 (IDSS):1μA (VDS = 100V, VGS = 0V)
    - 正向二极管压降 (VSD):0.8V (IS = 1.7A, VGS = 0V)

    产品特点和优势


    - 高温耐受能力:这款MOSFET的最大结温可达175°C,使其适合于高温环境下的应用。
    - 低导通电阻 (RDS(on)):即使在高温环境下,其导通电阻仍能保持在较低水平,保证了高效能和低功耗。
    - 无卤素特性:符合RoHS标准,有利于环境保护。
    - 设计可靠:所有应力均经过严格的测试,确保长期可靠运行。

    应用案例和使用建议


    这款MOSFET广泛应用于各类电子设备中,如电机驱动器、电源转换器、DC-DC转换器等。根据手册提供的应用示例,建议在设计电路时考虑以下几点:
    - 散热设计:考虑到最高结温为175°C,确保适当的散热措施,以避免过热导致的损坏。
    - 合适的驱动信号:合理设置门源电压 (VGS) 和电流 (ID),以获得最佳性能。

    兼容性和支持


    该产品兼容广泛的电气系统和设备,特别是在需要高可靠性的工业和汽车应用中。VBsemi提供全面的技术支持和维护服务,客户可以随时联系服务热线 400-655-8788 获取帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何正确设置门源电压以避免过高的泄露电流?
    - 解决方案:确保门源电压不超过±20V,以防止泄露电流过高。
    2. 问题:如果在高环境温度下使用,如何优化散热?
    - 解决方案:使用合适的散热片,并确保良好的空气流通,以提高散热效率。
    3. 问题:如何确定正确的驱动信号?
    - 解决方案:参考产品的门源电压 (VGS) 和最大漏极电流 (ID) 参数,选择合适的驱动电压和电流值。

    总结和推荐


    总的来说,VBsemi公司的这款9997GK N沟道100V MOSFET在高温耐受能力和低导通电阻方面表现出色,非常适合于需要高效能和可靠性高的应用场景。其无卤素特性和RoHS合规性也增加了其市场竞争力。建议在进行相关电子设备设计时优先考虑使用此产品。

9997GK-VB参数

参数
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 100mΩ@10V,120mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V~4V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
配置 -
Id-连续漏极电流 5A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

9997GK-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

9997GK-VB数据手册

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9997GK-VB封装设计

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