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UT6302L-AE3-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V) 封装:'SOT23-3\n一款单P型MOSFET,适用于多种电源和功率控制应用,包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。
供应商型号: 14M-UT6302L-AE3-R-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT6302L-AE3-R-VB

UT6302L-AE3-R-VB概述

    电子元器件产品技术手册:P-Channel 20-V MOSFET

    产品简介


    本产品为一款P沟道20-V(D-S)功率MOSFET,型号为UT6302L-AE3-R。它采用了先进的TrenchFET®技术,具备卓越的导通电阻和开关性能,适用于各种负载开关、PA(功率放大器)开关以及DC/DC转换器等领域。其设计符合RoHS和无卤素标准,确保环保且高性能的使用。

    技术参数


    以下为该产品的关键技术和性能参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS -20 | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | -0.5 | 1.5 V |
    | 栅源漏电流 | IGSS | ±100 nA |
    | 开启状态下漏极电流 | ID(on) -18 | A |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 0.035 | 0.043 | 0.061 | Ω |
    | 总栅极电荷 | Qg | 6.4 | 10 nC |
    | 转导电容 | gfs | 15 S |
    | 最大脉冲漏极电流 | IDM -18 | A |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55至150 °C |
    工作环境:
    - 额定工作温度:-55°C 至 150°C
    - 热阻抗(RthJA):最大值100°C/W

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻(RDS(on)):典型值为0.035Ω,有效降低功耗并提高效率。
    2. 高开关速度:总栅极电荷(Qg)低至6.4nC,适合高频应用。
    3. 环保设计:符合RoHS和无卤素标准,适合绿色电子需求。
    4. 优异的热管理:采用TrenchFET®技术,具有更高的散热能力。
    5. 可靠性强:支持高温环境下稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    1. 负载开关:如电池管理系统中的负载切换。
    2. PA开关:用于无线通信设备的功率放大器切换。
    3. DC/DC转换器:高效能量转换,如太阳能发电系统。
    使用建议:
    - 在高功率应用中,建议使用散热片或风扇辅助散热。
    - 设计电路时需考虑负载的额定电流,避免超过器件的最大连续漏极电流(ID)。
    - 在高温环境下工作时,合理降低负载电流以延长使用寿命。

    兼容性和支持


    1. 封装兼容性:该产品采用SOT-23(TO-236)封装,适合表面贴装工艺,易于集成到小型化电路板中。
    2. 厂商支持:VBsemi提供全面的技术文档和支持服务,包括详细的产品规格书和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 器件过热 | 添加外部散热片或降低负载电流。 |
    | 开关速度慢 | 优化电路布局,减少寄生电感。 |
    | 漏电流过高 | 检查电路设计,确保栅极驱动强度足够。|

    总结和推荐


    综上所述,UT6302L-AE3-R是一款高性价比、高性能的P沟道MOSFET,尤其适用于需要高能效和紧凑设计的应用场景。其低导通电阻、高开关速度及环保特性使其在市场上极具竞争力。我们强烈推荐此产品用于现代电子系统的开关和功率管理模块设计中。
    推荐指数:★★★★★

UT6302L-AE3-R-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V
Vds-漏源极击穿电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 810mV
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 12V
配置 -
FET类型 1个P沟道
Id-连续漏极电流 4A
通道数量 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT6302L-AE3-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT6302L-AE3-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT6302L-AE3-R-VB UT6302L-AE3-R-VB数据手册

UT6302L-AE3-R-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.3373
50+ ¥ 0.3174
150+ ¥ 0.2833
500+ ¥ 0.2123
3000+ ¥ 0.2043
9000+ ¥ 0.1984
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