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KD4503-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款双 N 型和 P 型沟道功率 MOSFET,采用槽沟技术制造。该产品具有双极性设计,能够同时控制正负极电流,适用于各种功率控制和开关应用。封装为 SOP8,易于安装和集成,适用于各种电路设计。±30V,9/-6A,RDS(ON),15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1.65Vth(V)
供应商型号: KD4503-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KD4503-VB

KD4503-VB概述

    # KD4503 N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    KD4503 是一款高性能的 N- 和 P-沟道增强型 MOSFET,工作电压为 30V(漏极-源极),采用先进的 TrenchFET® 技术制造。这款器件广泛应用于电机驱动及移动电源等领域,是现代电子系统中的关键组件。其卓越的性能得益于低导通电阻(RDS(on))、高开关速度和强大的电流承载能力,使其成为功率转换和控制电路的理想选择。

    技术参数


    以下是 KD4503 的关键技术和性能参数:
    | 参数 | 类型 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压(VDS) | N-通道 | 30 | - | - | V |
    P-通道 | -30 | - | - | V |
    | 漏极电流(ID) | N-通道 | 8e | - | - | A |
    P-通道 | -8e | - | - | A |
    | 漏源导通电阻(RDS(on)) | N-通道 | - | 0.018 | - | Ω |
    P-通道 | - | 0.040 | - | Ω |
    | 输入电容(Ciss) | N-通道 | - | 510 | - | pF |
    P-通道 | - | 620 | - | pF |
    | 输出电容(Coss) | N-通道 | - | 95 | - | pF |
    | 反向传输电容(Crss) | N-通道 | - | 33 | - | pF |
    | 额定工作温度范围(TJ) | - | -55 | - | 150 | °C |
    工作环境
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压(VDS):±30V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 脉冲栅极电流(ISM):±40A
    - 温度范围:
    - 工作温度(TJ, Tstg):-55 至 150°C
    - 热阻抗:
    - RthJA(典型值):50°C/W(N-通道);47°C/W(P-通道)

    产品特点和优势


    1. 高性能设计:
    KD4503 采用 TrenchFET® 技术,提供了出色的导通电阻(RDS(on)),在相同条件下比传统平面结构更低。
    2. 低功耗运行:
    极低的导通电阻使得器件在工作时产生更少的热量,提升了效率并延长了使用寿命。
    3. 高可靠性:
    所有产品均经过 100% 测试,符合 RoHS 和 IEC 61249-2-21 标准,保证长期稳定运行。
    4. 快速开关性能:
    出色的输入输出电容特性和低反向传输电容(Crss),确保了快速的开关切换速度。
    5. 多功能性:
    支持双向电流流动,适用于电机驱动、电池管理和其他高功率密度应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 电机驱动:KD4503 可作为电机驱动电路中的功率管,通过高效的电流控制提升电机性能。
    2. 便携式电源:其小型化设计和高效能使其成为移动电源和无线充电设备的核心元件。
    使用建议
    - 热管理:建议在高电流或高温环境中使用散热片以降低热阻,从而保护器件。
    - 电路布局:确保 PCB 布局紧凑且无干扰,以减少寄生电感和杂散电容的影响。
    - 脉冲负载:在处理瞬态负载时,注意设置合适的栅极电阻以防止过流损坏。

    兼容性和支持


    KD4503 采用标准 SO-8 封装,支持常见的 PCB 安装工艺,与主流设计工具和系统兼容。VBsemi 提供全面的技术支持,包括详细的应用文档、样品提供和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 导通电阻过高 | 确保驱动电压达到推荐值,调整电路设计。 |
    | 瞬态过电压导致损坏 | 添加保护电路,如 TVS 二极管和稳压二极管。 |
    | 高温运行下性能下降 | 增加散热装置,改善散热条件。 |

    总结和推荐


    KD4503 N- 和 P-Channel MOSFET 是一款功能强大且可靠的产品,适合多种高要求应用场景。其卓越的导通电阻、快速开关能力和广泛的温度适应性使其在市场上具有较强的竞争力。如果需要高效、紧凑且可靠的功率开关解决方案,KD4503 是您的理想选择。
    推荐使用场景:
    - 需要高效率功率转换的工业应用
    - 需要快速响应的电机驱动和电源管理系统
    最终结论:
    KD4503 的高性价比和广泛应用潜力使其成为电子设计工程师的首选。如果您正在寻找一款可靠的高性能 MOSFET,强烈推荐您选用 KD4503!
    联系方式:
    服务热线:400-655-8788
    官方网站:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)

KD4503-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 9A,6A
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 N+P沟道
Vds-漏源极击穿电压 ±30V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 ±1.65V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

KD4503-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KD4503-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 KD4503-VB KD4503-VB数据手册

KD4503-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
4000+ ¥ 1.1597
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