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TPC8084-H-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n该产品为单体N型MOSFET,具有以下特性:\n- 最大漏极电压(VDS)为30V,适用于中等功率应用。\n- 最大门源电压(VGS)为±20V,兼容多种驱动电路。\n- 阈值电压(Vth)为1.7V,具有良好的开关特性。\n- 在VGS=4.5V时,导通电阻为5m?;在VGS=10V时,导通电阻为4m?,具有低导通电阻和低开关损耗。\n- 最大漏极电流(ID)为18A,可满足多种应用场景的电流需求。\n- 采用Trench工艺,具有优异的热特性和可靠性。\n- 封装为SOP8,便于PCB布局和焊接。
供应商型号: TPC8084-H-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) TPC8084-H-VB

TPC8084-H-VB概述

    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    本手册介绍的是N沟道30-V(D-S)MOSFET,采用TrenchFET®功率MOSFET技术,适用于笔记本电脑CPU核心的高边同步整流操作。它是一种适用于多种应用的高效电子元器件。

    技术参数


    - 漏源电压 (VDS):30 V
    - 连续漏极电流 (ID):18 A (TJ = 25 °C),16 A (TJ = 70 °C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):50 A
    - 额定最大功率耗散 (PD):4.5 W (TJ = 25 °C),2.8 W (TJ = 70 °C)
    - 阈值电压 (VGS(th)):1.0 V 至 3.0 V
    - 导通电阻 (RDS(on)):0.004 Ω (VGS = 10 V),0.005 Ω (VGS = 4.5 V)
    - 输入电容 (Ciss):820 pF (VDS = 15 V,VGS = 0 V,f = 1 MHz)
    - 输出电容 (Coss):195 pF
    - 逆向转移电容 (Crss):73 pF
    - 总栅极电荷 (Qg):6.8 nC (VGS = 5 V)

    产品特点和优势


    - 无卤素材料:符合RoHS标准,环保友好。
    - 优化设计:特别适合笔记本电脑CPU核心的高边同步整流操作。
    - 高可靠性:所有批次均经过100% Rg和UIS测试。
    - 低导通电阻:典型值为0.004 Ω (VGS = 10 V),确保高效的能量转换。
    - 高功率处理能力:额定最大功率耗散为4.5 W (TJ = 25 °C),具有优异的热稳定性和可靠性。

    应用案例和使用建议


    该MOSFET广泛应用于笔记本电脑CPU核心的高边开关电路中,适用于要求高效能和高可靠性的应用场合。根据手册中的使用说明,建议在组装时确保散热良好,以提高长期运行的稳定性。

    兼容性和支持


    该MOSFET与大多数常见的PCB布局和焊接工艺兼容,可广泛用于各种电子设备。制造商提供详细的技术支持文档,用户可以通过官方渠道获取更多帮助和更新。

    常见问题与解决方案


    - 问题:产品过热怎么办?
    - 解决方法:增加外部散热片,降低负载电流,确保散热通道畅通。
    - 问题:无法正常导通?
    - 解决方法:检查电源电压是否达到阈值,检查连接线路是否有短路或断路。
    - 问题:导通电阻过高?
    - 解决方法:确认栅极驱动电压足够高,确保MOSFET工作在理想状态。

    总结和推荐


    这款N-Channel 30-V (D-S) MOSFET凭借其出色的性能参数和广泛的适用范围,在电子元件市场中具备强大的竞争力。特别是其优化的设计和无卤素材料使其成为高性能应用的理想选择。建议在需要高效能和高可靠性的应用场合中使用。
    联系方式:服务热线:400-655-8788
    官网:www.VBsemi.com

TPC8084-H-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 18A
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@10V,6.5mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.72V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
通道数量 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

TPC8084-H-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

TPC8084-H-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 TPC8084-H-VB TPC8084-H-VB数据手册

TPC8084-H-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 1.5301
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4000+ ¥ 1.4077
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