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NTB75N03L09G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,170A,RDS(ON),3mΩ@10V,4.4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO263 可用作电机驱动器的功率开关管,用于控制工业机器人、输送带等设备的启停和转速,提高生产线的自动化程度和生产效率。
供应商型号: NTB75N03L09G-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTB75N03L09G-VB

NTB75N03L09G-VB概述

    N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    N-Channel 30-V MOSFET 是一款高性能的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它采用TrenchFET®技术,具有极低的导通电阻和较高的耐压能力,适用于多种高可靠性应用,如电源管理、服务器和DC/DC转换等。该产品通过了严格的测试,确保其在高温和高电压条件下的稳定运行。

    技术参数


    - 基本参数
    - 漏源电压(VDS):30V
    - 阈值电压(VGS(th)):1.5V ~ 2.5V
    - 零门电压漏电流(IDSS):≤1μA
    - 体二极管最大反向恢复时间(trr):52 ~ 78ns
    - 最大工作温度范围(TJ, Tstg):-55°C ~ 175°C
    - 性能参数
    - 导通状态电阻(RDS(on)):0.0024Ω @ 10V 28.8A, 0.0038Ω @ 4.5V 27A
    - 门电荷(Qg):81.5 ~ 123nC @ 15V 28.8A
    - 转导电容(Ciss, Coss, Crss):12065pF, 1725pF, 970pF
    - 工作环境
    - 热阻(RthJA):32 ~ 40°C/W
    - 连续工作温度范围:-55°C ~ 175°C

    产品特点和优势


    - 高效能:具备极低的导通电阻(RDS(on)),确保低功耗和高效率。
    - 可靠性:通过UIS和Rg测试,保证在极端条件下的稳定性。
    - 环保合规:符合RoHS标准,对环境友好。
    - 广泛的应用:适用于各种严苛环境,包括OR-ing电路、服务器和DC/DC转换。

    应用案例和使用建议


    - OR-ing电路:用于电源冗余设计,确保系统稳定运行。
    - 服务器:作为关键部件,提高服务器的整体效能。
    - DC/DC转换:提供高效、稳定的电压转换。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,注意散热设计以避免过热。
    - 根据具体应用需求选择合适的门电压和电流参数。

    兼容性和支持


    - 兼容性:适用于大多数标准接口和电路设计。
    - 支持:提供全面的技术文档和支持,确保用户可以快速上手。

    常见问题与解决方案


    - 问题:在高温环境下使用时,发现MOSFET过热。
    - 解决方案:加强散热设计,使用适当的散热片或风扇进行辅助冷却。
    - 问题:长时间使用后出现性能下降。
    - 解决方案:检查是否存在过热现象,并调整电路设计以优化性能。

    总结和推荐


    N-Channel 30-V MOSFET 是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET,适用于各种严苛环境。它的低导通电阻和良好的散热性能使其在多个应用场景中表现出色。结合其广泛的兼容性和厂家的支持,我们强烈推荐此产品给需要高效率和高可靠性的应用场合。
    更多技术细节和技术支持,请访问 [www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com) 或联系我们的服务热线:400-655-8788。

NTB75N03L09G-VB参数

参数
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@10V,4.4mΩ@4.5V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 170A
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.7V
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NTB75N03L09G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTB75N03L09G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTB75N03L09G-VB NTB75N03L09G-VB数据手册

NTB75N03L09G-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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