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HMS11N65-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,15A,RDS(ON),300mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: HMS11N65-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HMS11N65-VB

HMS11N65-VB概述

    HMS11N65-VB N-Channel 650V (D-S) Super Junction Power MOSFET

    产品简介


    HMS11N65-VB是一款适用于多种高功率应用的N沟道650V超级结功率MOSFET。它广泛应用于服务器和电信电源系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)、照明系统、焊接、感应加热、电机驱动、电池充电器以及可再生能源等领域,特别是在太阳能光伏逆变器中表现出色。

    技术参数


    HMS11N65-VB的关键技术参数如下:
    - 最大漏源电压 \( V{DS} \):650 V(在最大结温下)
    - 漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \):0.23 Ω(在25°C时,\( V{GS} \) = 10 V)
    - 典型总栅极电荷 \( Qg \):24 nC
    - 典型栅源电荷 \( Q{gs} \):6 nC
    - 典型栅漏电荷 \( Q{gd} \):11 nC
    - 极限重复脉冲漏电流 \( I{DM} \):45 A
    - 最大功耗 \( PD \):180 W
    - 绝对最大结到壳(漏)热阻 \( R{thJC} \):0.7 °C/W
    - 额定单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \):286 mJ

    产品特点和优势


    HMS11N65-VB具有以下独特功能和优势:
    - 低栅极电荷(\( Qg \)):栅极电荷低有助于降低开关损耗。
    - 低输入电容(\( C{iss} \)):低输入电容减少了栅极充电时间,从而降低了驱动损耗。
    - 超低栅极电荷(\( Qg \)):进一步减少开关损耗,提高效率。
    - 雪崩能量额定值(\( E{AS} \)):提供良好的可靠性和耐久性。
    - 单脉冲雪崩能量(\( E{AS} \)):适用于要求高能效的应用场景。

    应用案例和使用建议


    HMS11N65-VB适合于以下应用场景:
    - 服务器和电信电源系统:高效节能,提升系统可靠性。
    - 工业应用:如焊接、感应加热、电机驱动等,提供稳定的电流控制。
    - 可再生能源:特别是太阳能光伏逆变器,优化能源转换效率。
    使用建议:
    - 在高功率应用中,建议使用散热器以确保最佳散热效果。
    - 在选择驱动电路时,应考虑低栅极电荷以减少驱动损耗。
    - 针对不同负载条件,需合理设定驱动电阻以确保可靠的开关性能。

    兼容性和支持


    HMS11N65-VB支持广泛的电气特性,适用于多种电子设备和系统。VBsemi提供详尽的技术文档和支持服务,以帮助客户更好地理解和使用这款产品。同时,VBsemi提供了完善的售后服务和技术支持,确保用户在使用过程中能够获得及时的帮助。

    常见问题与解决方案


    以下是几个常见的问题及其解决方案:
    - 问题1:设备过热
    - 解决方法:检查散热措施是否到位,确保有足够的散热片或风扇辅助散热。

    - 问题2:驱动信号不稳定
    - 解决方法:调整驱动电路中的栅极电阻,优化驱动波形,以确保信号稳定。

    - 问题3:开关损耗过高
    - 解决方法:增加栅极电阻,减少开关速度,以降低损耗。

    总结和推荐


    HMS11N65-VB是一款高性能的N沟道650V超级结功率MOSFET,在多个高功率应用领域展现出色的性能。其低栅极电荷、低输入电容以及优秀的雪崩能量额定值,使其成为电源管理和工业应用的理想选择。通过上述分析可以看出,HMS11N65-VB在多种应用场景中均能提供卓越的性能表现,因此我们强烈推荐这一产品给需要高效、可靠的电力解决方案的用户。

HMS11N65-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Rds(On)-漏源导通电阻 300mΩ@ 10V
最大功率耗散 -
通道数量 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 15A
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vgs-栅源极电压 30V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

HMS11N65-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HMS11N65-VB数据手册

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HMS11N65-VB封装设计

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