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NTJD3158CT1G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N+P—Channel沟道,±20V,2.5/-1.5A,RDS(ON),130/230mΩ@4.5V,160/280mΩ@2.5V,20Vgs(±V);±0.6~2Vth(V) 封装:SC70-6
供应商型号: NTJD3158CT1G-VB SC70-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTJD3158CT1G-VB

NTJD3158CT1G-VB概述


    产品简介


    NTJD3158CT1G 是一款高性能的N沟道和P沟道互补金属氧化物半导体(MOSFET)器件,主要用于便携式设备中的负载开关。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和卓越的热管理性能,适用于需要高效功率转换和控制的应用场合。

    技术参数


    - 额定电压(VDS): 20V(对于N通道和P通道)
    - 最大连续漏极电流(ID):
    - N通道: 3.28A(在TA = 25°C时),1.81A(在TA = 85°C时)
    - P通道: 2.80A(在TA = 25°C时),1.53A(在TA = 85°C时)
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - N通道:
    - 0.090Ω(在VGS = 4.5V时)
    - 0.110Ω(在VGS = 2.5V时)
    - 0.130Ω(在VGS = 1.8V时)
    - P通道:
    - 0.155Ω(在VGS = -4.5V时)
    - 0.190Ω(在VGS = -2.5V时)
    - 0.220Ω(在VGS = -1.8V时)
    - 封装: 载热增强型SC-70封装
    - 栅极泄漏电流(IGSS):
    - N通道: ≤ ±100nA(在VDS = 0V,VGS = ±8V时)
    - P通道: ≤ ±100nA(在VDS = 0V,VGS = ±8V时)

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:NTJD3158CT1G 的低RDS(on)值确保了高效的功率转换和低功耗。
    2. 快速开关速度:该器件支持快速开关操作,有助于减少功率损耗和提高效率。
    3. 高热稳定性:通过载热增强型SC-70封装,NTJD3158CT1G 可在高温环境下保持稳定运行。
    4. 环保合规性:符合RoHS指令2002/95/EC及IEC 61249-2-21标准,且无卤素,保证了对环境友好。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 负载开关:在便携式设备如手机、平板电脑中作为负载开关使用,以控制电源路径,提高系统效率。
    使用建议:
    - 在设计电路时,根据具体需求选择合适的栅极驱动电压(VGS)以获得最佳的RDS(on)性能。
    - 确保散热管理措施到位,特别是在高温环境中使用时,以避免器件过热损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:NTJD3158CT1G 可与多种微控制器和其他数字逻辑器件无缝配合使用。
    - 支持和服务:制造商提供详尽的技术支持文档,客户可联系服务热线(400-655-8788)获取更多技术支持和信息。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致器件过热 | 增加散热片,改善散热条件;降低开关频率 |
    | 器件未正常导通 | 检查栅极驱动电压是否正确设置;检查连接线路是否有短路 |

    总结和推荐


    NTJD3158CT1G 是一款出色的MOSFET器件,适用于便携式设备中的负载开关。其低导通电阻、快速开关速度和高热稳定性使得它在各种应用中表现出色。对于需要高效功率管理和转换的项目,强烈推荐使用 NTJD3158CT1G。

NTJD3158CT1G-VB参数

参数
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 130/230mΩ@4.5V,160/280mΩ@2.5V
通道数量 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 ±20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 N+P沟道
Id-连续漏极电流 2.5A,1.5A
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 ±600mV~2V
通用封装 SC-70-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NTJD3158CT1G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTJD3158CT1G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTJD3158CT1G-VB NTJD3158CT1G-VB数据手册

NTJD3158CT1G-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 0.7203
500+ ¥ 0.6915
3000+ ¥ 0.6627
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