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19N10G-TA3-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 100V,18A,RDS(ON),127mΩ@10V,132mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220 一款单N沟道功率MOSFET,适用于多种低功率功率电子应用。具有高性能和可靠性,特别适合要求高效率和低功率的电源和驱动器应用。
供应商型号: 19N10G-TA3-T-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 19N10G-TA3-T-VB

19N10G-TA3-T-VB概述

    # 19N10G-TA3-T-VB N-Channel 100-V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    19N10G-TA3-T-VB 是一款高性能的 N-Channel 100-V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有低导通电阻、高击穿电压和卓越的热性能。它广泛应用于隔离式直流-直流转换器等电力电子系统中,能够在苛刻的工作环境下提供稳定可靠的性能。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压 \(V{DS}\): 100 V
    - 栅源电压 \(V{GS}\): ±20 V
    - 连续漏电流 \(ID\)(\(TJ = 175\degree C\), \(TA = 25\degree C\)): 18 A
    - 脉冲漏电流 \(I{DM}\): 68 A
    - 单脉冲雪崩电流 \(I{AS}\): 18 A
    - 单脉冲雪崩能量 \(E{AS}\): 200 mJ
    - 最大功耗 \(PD\)(\(TA = 25\degree C\)): 3.75 W
    - 结温范围 \(TJ\): -55°C 至 175°C
    热阻
    - 结到环境热阻 \(R{thJA}\)(安装在PCB上): 40°C/W
    - 结到外壳热阻 \(R{thJC}\): 0.4°C/W
    静态参数
    - 漏源击穿电压 \(V{(BR)DSS}\): 100 V
    - 栅阈电压 \(V{GS(th)}\): 2 V 至 4 V
    - 零栅压漏电流 \(I{DSS}\): 1 µA(\(V{DS} = 100\) V,\(TJ = 125\degree C\))
    - 开启状态漏电流 \(I{D(on)}\): 120 A(\(V{DS} \geq 5\) V,\(V{GS} = 10\) V)
    动态参数
    - 输入电容 \(C{iss}\): 130 pF(\(V{GS} = 0\) V,\(V{DS} = 25\) V)
    - 输出电容 \(C{oss}\): 260 pF
    - 反向传输电容 \(C{rss}\): 110 pF
    - 总栅电荷 \(Qg\): 28 nC
    - 门极电阻 \(Rg\): 0.5 Ω 至 3.3 Ω
    - 开启延时时间 \(td(on)\): 8 ns
    - 上升时间 \(tr\): 120 ns
    - 关断延时时间 \(td(off)\): 25 ns
    - 下降时间 \(tf\): 50 ns

    产品特点和优势


    19N10G-TA3-T-VB 具备多项显著优势:
    - 高耐温性能: 支持高达 175°C 的结温,确保在高温环境下可靠运行。
    - 低导通电阻: 在 \(V{GS} = 10\) V 时,\(R{DS(on)} = 0.127\) Ω(\(TJ = 25\degree C\)),显著降低损耗。
    - 低热阻: 结到外壳的热阻仅为 0.4°C/W,有助于提高散热性能。
    - TrenchFET® 技术: 提供更小的导通电阻和更高的可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    19N10G-TA3-T-VB 主要应用于隔离式直流-直流转换器中。这种转换器需要一个能够高效转换和稳定输出的 MOSFET,而 19N10G-TA3-T-VB 正好能满足这些要求。
    使用建议
    1. 温度管理: 尽量保持工作环境温度低于 125°C,以充分利用其低热阻特性。
    2. 驱动电路设计: 设计合适的栅极驱动电路,确保开关频率和占空比不会超过规定的极限值。
    3. 散热措施: 使用高效的散热器和良好的 PCB 设计来提高热传导效率。

    兼容性和支持


    19N10G-TA3-T-VB 采用 TO-220AB 封装,易于安装和使用。厂商提供详尽的技术支持和维护服务,确保客户能够充分发挥产品的性能。同时,该产品符合 RoHS 标准,适用于绿色电子产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 如何正确测量 \(R{DS(on)}\)?
    - 解决办法: 使用万用表,在 \(V{GS} = 10\) V 时测量漏源之间的电阻值。
    2. 问题: 开关频率过高导致功耗增加怎么办?
    - 解决办法: 优化电路设计,增加合适的电感和电容以减缓开关速度。
    3. 问题: 高温环境下 \(R{DS(on)}\) 升高怎么办?
    - 解决办法: 选择合适的散热方案,如加大散热器面积或改进 PCB 散热路径。

    总结和推荐


    综上所述,19N10G-TA3-T-VB 是一款出色的 N-Channel 100-V MOSFET,具备优异的耐温性、低导通电阻和高可靠性。它在电力电子系统的应用中表现出色,特别是在隔离式直流-直流转换器领域。强烈推荐给寻求高性能 MOSFET 的工程师和设计师。
    如有更多疑问或需要进一步技术支持,欢迎联系 VBsemi 官方服务热线:400-655-8788。

19N10G-TA3-T-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V~4V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 127mΩ@10V,132mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 18A
配置 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

19N10G-TA3-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

19N10G-TA3-T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 19N10G-TA3-T-VB 19N10G-TA3-T-VB数据手册

19N10G-TA3-T-VB封装设计

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