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NCEP15T11JD-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,100V,100A,RDS(ON),10mΩ@10V,23mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO263 可用作变频器电路中的开关器件,用于控制交流电机的速度和转向。其高性能和可靠性使其适用于工业设备的变频驱动,如风机、水泵等,提高了工业生产过程中的能效和自动化水平。
供应商型号: NCEP15T11JD-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NCEP15T11JD-VB

NCEP15T11JD-VB概述

    NCEP15T11JD N-Channel 150V MOSFET 技术手册

    产品简介


    NCEP15T11JD 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,专为各种高效率电力转换应用而设计。它采用了ThunderFET® 技术,适用于电源管理、同步整流、DC/DC 转换器、电机驱动开关、直流/交流逆变器、微型太阳能逆变器、D 类音频放大器和电池管理系统等应用场景。其最大额定工作温度高达 175℃,具有极高的可靠性和耐用性。

    技术参数


    - 基本规格:
    - VDS(漏源电压):150V
    - RDS(on)(导通电阻):
    - VGS=10V:0.0075Ω
    - VGS=7.5V:0.0084Ω
    - 最大连续漏电流:ID=128A
    - 典型栅电荷:Qg=63nC
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 VDS:150V
    - 栅源电压 VGS:±20V
    - 最大连续漏电流 ID:128A
    - 最大脉冲漏电流 IDM:240A
    - 单次雪崩能量 EAS:180mJ
    - 最大功率耗散 PD:375W(TC=25℃)
    - 工作温度范围:
    - 工作温度 TJ:-55℃ 至 +175℃
    - 存储温度 Tstg:-55℃ 至 +175℃

    产品特点和优势


    NCEP15T11JD MOSFET 的主要特点包括:
    - 高可靠性:最大工作温度达 175℃,确保在恶劣环境下的稳定运行。
    - 高强度雪崩耐受能力:提供高达 180mJ 的单次雪崩能量,确保在高压情况下的安全运行。
    - 高效的栅电荷管理:典型栅电荷低至 63nC,减少功耗,提高效率。
    - ThunderFET® 技术:提供卓越的热管理和出色的导电性能。

    应用案例和使用建议


    NCEP15T11JD 在多种应用场景中表现出色,例如:
    - 不间断电源:高效率和可靠性的特性使其成为 UPS 系统的理想选择。
    - DC/DC 转换器:低导通电阻和快速开关速度使其适用于高效能的 DC/DC 转换器。
    - 电机驱动开关:强大的电流处理能力和高工作温度使其适用于各类电机驱动系统。
    使用建议:
    - 为了确保最佳性能,在高负载和高温环境下,应考虑额外的散热措施,如使用大面积散热片。
    - 在进行同步整流时,应确保 VGS 保持在适当范围内,以避免过度消耗功耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性:NCEP15T11JD 与标准的 TO-263 封装兼容,可直接替代其他同类型号的 MOSFET。
    - 技术支持:台湾 VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,包括在线帮助文档和专家咨询服务。

    常见问题与解决方案


    - 问题 1:温度过高导致器件失效
    - 解决方案:检查散热措施是否到位,考虑增加散热片或改善通风条件。

    - 问题 2:电流过载导致器件损坏
    - 解决方案:确认电路设计符合器件的最大电流限制,适当添加电流保护机制。

    总结和推荐


    综上所述,NCEP15T11JD MOSFET 是一款高性能且多功能的电子元器件,特别适合于需要高可靠性和效率的应用场合。其优异的电气特性和广泛的工作温度范围使得它在多个领域都能表现出色。我们强烈推荐将其用于高要求的应用项目中,以确保系统的长期稳定性和高效性。
    如有任何疑问,欢迎联系我们的客户服务热线:400-655-8788。

NCEP15T11JD-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@10V,23mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 100V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 100A
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

NCEP15T11JD-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NCEP15T11JD-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NCEP15T11JD-VB NCEP15T11JD-VB数据手册

NCEP15T11JD-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
800+ ¥ 3.6425
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型号 价格(含增值税)
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