处理中...

首页  >  产品百科  >  AP3986P-VB

AP3986P-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,600V,8A,RDS(ON),780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220 适用于电源管理模块,如开关电源、电池充放电管理系统等,提供稳定、高效的电力控制和保护
供应商型号: AP3986P-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) AP3986P-VB

AP3986P-VB概述

    AP3986P-VB 电子元器件技术手册解析

    产品简介


    AP3986P-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理领域。该器件以其低栅极电荷(Qg)和出色的抗浪涌电流能力著称。这些特性使其非常适合于开关模式电源(SMPS)、不间断电源(UPS)及高速功率开关等应用。

    技术参数


    以下是 AP3986P-VB 的关键技术规格:
    - 工作电压(VDS):600V
    - 导通电阻(RDS(on)):在 VGS = 10V 时为 0.780Ω
    - 最大总栅极电荷(Qg):49nC
    - 最大栅源电荷(Qgs):13nC
    - 最大栅漏电荷(Qgd):20nC
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):37A
    - 最大连续漏极电流(ID):在 25°C 时为 8.0A,在 100°C 时为 5.8A
    - 最大功率耗散(PD):170W
    - 结温范围(TJ, Tstg):-55°C 到 +150°C
    - 热阻(RthJA):最大值为 62°C/W

    产品特点和优势


    AP3986P-VB 的独特之处在于其低栅极电荷(Qg)特性,这使得其驱动要求简单。同时,该器件具有改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性,具备全面表征的电容和雪崩电压及电流。其独特的设计使其适用于高效率、高可靠性要求的应用场合。

    应用案例和使用建议


    AP3986P-VB 在多个领域的实际应用案例表明,它非常适合作为主开关用于主动钳位正激转换器和其他常见的离线开关模式电源拓扑结构。在使用过程中,建议严格遵循制造商提供的温度和电流限制,以确保长期稳定运行。对于特定的应用环境,如高湿度或高温条件,可以考虑增加散热措施来提高可靠性。

    兼容性和支持


    根据技术手册,AP3986P-VB 可与其他标准电路兼容。厂商提供详尽的技术支持文档和售后服务,以帮助用户更好地理解和应用这款产品。如有需要,用户可直接联系制造商获取进一步的支持和指导。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何确定 AP3986P-VB 的最大连续漏极电流?
    解决方案:检查产品手册中的绝对最大额定值表,其中标明了不同环境温度下的最大连续漏极电流。
    2. 问题:在使用过程中出现过温现象怎么办?
    解决方案:减少工作负载或增加外部散热措施,例如安装散热片或风扇,以确保结温保持在安全范围内。

    总结和推荐


    综上所述,AP3986P-VB 是一款性能卓越、功能强大的 N-Channel MOSFET,尤其适合在开关模式电源和其他需要高效率、高可靠性的应用中使用。其低栅极电荷和抗浪涌电流的能力使其成为市场上极具竞争力的产品之一。对于寻找高效、可靠的电源解决方案的工程师来说,AP3986P-VB 是一个值得考虑的选择。强烈推荐将此产品应用于相关领域,以实现最佳性能和可靠性。

AP3986P-VB参数

参数
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 8A
Vds-漏源极击穿电压 600V
FET类型 1个N沟道
配置 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

AP3986P-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

AP3986P-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 AP3986P-VB AP3986P-VB数据手册

AP3986P-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.1091
100+ ¥ 2.8788
500+ ¥ 2.7636
1000+ ¥ 2.6485
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 31.09
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336