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IPB015N04L G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,40V,180A,RDS(ON),2mΩ@10V,2.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO263适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、电动车辆和工业控制等领域的模块中。
供应商型号: 14M-IPB015N04L G-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPB015N04L G-VB

IPB015N04L G-VB参数

参数
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 250A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@10V,2.5mΩ@4.5V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IPB015N04L G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPB015N04L G-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPB015N04L G-VB IPB015N04L G-VB数据手册

IPB015N04L G-VB封装设计

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Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 7.4174
10+ ¥ 6.755
30+ ¥ 6.3768
100+ ¥ 5.616
800+ ¥ 5.4041
2400+ ¥ 5.2981
库存: 20
起订量: 1 增量: 800
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 7.41
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型号 价格(含增值税)
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