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UTT30N10L-TN3-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,100V,40A,RDS(ON),30mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252\n晶体管具有较高的漏极电流容量和较低的漏极-源极电阻,非常适合用作汽车电子模块中的功率开关器件。在汽车电子模块中,它可以用于发动机控制、电动助力转向、车载充电桩等应用,确保汽车系统的稳定性和性能。
供应商型号: UTT30N10L-TN3-T-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UTT30N10L-TN3-T-VB

UTT30N10L-TN3-T-VB概述

    UTT30N10L-TN3-T N-Channel 100-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    UTT30N10L-TN3-T 是一款N沟道100-V(D-S)功率MOSFET,由台湾VBsemi公司生产。该产品采用先进的TrenchFET®技术,具有出色的电气特性和高可靠性。它适用于各种电子应用,包括电源管理、电机控制和负载开关等。

    技术参数


    - 额定电压 (V(BR)DSS):100V
    - 最大连续漏极电流 (ID):40A (TC = 25°C),23A (TC = 125°C)
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):120A
    - 最大栅源电压 (VGS):±20V
    - 导通电阻 (rDS(on)):在VGS = 10V、ID = 5A时为0.030Ω;在VGS = 4.5V、ID = 3A时为0Ω
    - 最大耗散功率 (PD):107W (TC = 25°C),3.75W (TA = 25°C)
    - 热阻 (RthJA):40°C/W (板载安装)
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 至 175°C

    产品特点和优势


    1. TrenchFET®技术:采用先进的沟槽结构,降低了导通电阻和开关损耗。
    2. 高温稳定性:能够在高达175°C的结温下正常工作。
    3. 低热阻设计:有效的散热设计减少了由于过热导致的可靠性问题。
    4. 高可靠性:经过严格测试,确保在极端条件下也能稳定工作。

    应用案例和使用建议


    1. 电源管理:在高功率直流电源中作为开关器件使用,提高效率。
    2. 电机控制:用于驱动电机,减少能耗和发热。
    3. 负载开关:作为负载开关使用,以实现快速开关和精确控制。
    使用建议:
    - 在高功率应用中,确保良好的散热设计,以避免过热问题。
    - 考虑到不同的工作温度对导通电阻的影响,在选型时需考虑工作温度范围内的性能变化。

    兼容性和支持


    该产品兼容标准的TO-252封装,易于集成到现有的电路板设计中。制造商提供了详尽的技术支持和客户服务,确保用户能够充分利用该产品的性能。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何确定合适的散热片?
    - 解决方案:根据实际应用中的功耗和工作条件选择合适尺寸的散热片,确保热阻满足要求。

    2. 问题:如何防止栅极振荡?
    - 解决方案:添加适当的栅极电阻 (RG),并确保栅极和源极之间有良好的去耦电容,以抑制振荡。

    3. 问题:如何延长产品的使用寿命?
    - 解决方案:避免长时间工作在额定极限附近,定期检查散热系统的有效性,确保工作温度在安全范围内。

    总结和推荐


    UTT30N10L-TN3-T是一款高性能、高可靠性的N沟道功率MOSFET,特别适合于高功率应用场合。其优秀的电气特性、高可靠性以及广泛的温度适应性使其成为市场上同类产品中的佼佼者。强烈推荐在需要高效、可靠的开关器件的应用中使用此产品。

UTT30N10L-TN3-T-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 30mΩ@10V,31mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
配置 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
Id-连续漏极电流 40A
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UTT30N10L-TN3-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UTT30N10L-TN3-T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UTT30N10L-TN3-T-VB UTT30N10L-TN3-T-VB数据手册

UTT30N10L-TN3-T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 2.6999
500+ ¥ 2.4839
2500+ ¥ 2.3759
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型号 价格(含增值税)
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