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608Z-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-4.8A,RDS(ON),49mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:SOT23-6
供应商型号: 608Z-VB SOT23-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 608Z-VB

608Z-VB概述


    产品简介


    P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
    该产品是一款由VBsemi公司生产的P沟道30V(D-S)功率MOSFET,采用TrenchFET®技术。它具有低导通电阻和高电流承载能力的特点,适用于负载开关等多种应用场合。
    主要功能和应用领域
    - 低导通电阻(RDS(on)):保证在高电流下仍能保持较低的导通损耗。
    - 高温度稳定性:能够在较宽的温度范围内稳定工作。
    - 高可靠性:采用无卤素材料,符合IEC 61249-2-21标准。
    - 典型应用:
    - 负载开关
    - 电源管理电路
    - 高频逆变器
    - 开关稳压器

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | - | -30 | V |
    | 漏极连续电流 | ID | - | - | -4.8 | A |
    | 源极连续电流 | IS | - | - | -2.5 | A |
    | 最大耗散功率 | PD | 3.0 | - | - | W |
    | 热阻 | RthJA | 55 | - | 62.5 | °C/W |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 0.049(VGS=-10V, ID=-4.1A)| 0.054(VGS=-4.5V, ID=-1.0A)| Ω |
    | 总栅极电荷 | Qg | 5.1 | - | 8 | nC |
    | 栅极电容 | Ciss | 450 | - | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | - | 80 | pF |
    | 反向转移电容 | Crss | - | - | 63 | pF |

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:通过优化的TrenchFET®技术,实现了出色的低导通电阻性能,减少了功耗和发热。
    2. 高可靠性:采用无卤素材料,符合国际环保标准。
    3. 高电流承载能力:能够承受较高的连续电流,适用于高负载开关需求。
    4. 宽工作温度范围:能够在-55°C至150°C的温度范围内稳定工作,适合各种严苛的工业环境。
    5. 优异的热稳定性:拥有较低的热阻值,便于散热设计,提高了可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 负载开关:用于控制电路中的负载开关,如电机驱动和电池充电器。
    - 电源管理电路:在电源管理电路中作为开关器件,提高效率和稳定性。
    使用建议
    1. 散热设计:由于产品具有一定的热阻,建议在外壳设计上增加散热片或使用散热器,以确保长期可靠运行。
    2. 驱动电路:确保驱动电路的电压和电流符合要求,避免过驱或欠驱情况发生,这可能导致产品损坏。
    3. 工作环境:在极端环境下使用时,考虑额外的防护措施,如防尘罩或防水外壳。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品采用TSOP封装,易于焊接和安装,可广泛应用于各种电路板设计中。
    - 技术支持:VBsemi公司提供详尽的技术文档和支持,客户可以通过服务热线400-655-8788获得技术支持和售后服务。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 导通电阻过高 | 确认驱动电压是否达到要求,检查是否有外部因素导致接触不良或损坏。 |
    | 工作温度超出范围 | 检查系统设计,增加散热措施或更换散热装置。 |
    | 电流承载能力不足 | 更换更大电流容量的产品或调整系统设计以减少电流冲击。 |

    总结和推荐


    综合评估
    - 优点:低导通电阻、高可靠性、高电流承载能力和宽工作温度范围,非常适合用于负载开关和其他高功率应用。
    - 推荐程度:强烈推荐给需要高效、可靠的P沟道MOSFET的应用场合,如负载开关、电源管理和高频逆变器等。
    通过以上分析,可以看出这款P-Channel 30-V (D-S) MOSFET在技术参数和性能方面表现出色,适合多种应用场景。因此,我们强烈推荐使用该产品,以提升系统的整体性能和可靠性。

608Z-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 1个P沟道
Id-连续漏极电流 4.8A
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -1V~-3V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 49mΩ@10V,54mΩ@4.5V
配置 -
通用封装 SOT-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

608Z-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

608Z-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 608Z-VB 608Z-VB数据手册

608Z-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
35+ ¥ 0.7779
100+ ¥ 0.7203
500+ ¥ 0.6915
3000+ ¥ 0.6627
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