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NID6002NT4G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,18A,RDS(ON),73mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO252\n用于设计LED照明驱动器模块,用于室内和室外照明系统,提供稳定的电流输出和高效的能量转换,满足建筑照明、道路照明和景观照明等领域的需求。
供应商型号: NID6002NT4G-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NID6002NT4G-VB

NID6002NT4G-VB概述

    # NID6002NT4G N-Channel 60V MOSFET 技术手册

    产品简介


    NID6002NT4G 是一款采用 TrenchFET® 技术的 N-Channel 60V 功率 MOSFET,主要应用于直流-直流转换器、直流-交流逆变器和电机驱动系统。该器件通过了 100% 的 Rg 和 UIS 测试,确保其在高压和高频条件下的可靠性能。

    技术参数


    - 漏源电压 (VDS): 60 V
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 连续漏极电流 (ID): 18 A (TC = 25 °C),14 A (TC = 70 °C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 25 A
    - 单次雪崩电流 (IAS): 15 A
    - 单次雪崩能量 (EAS): 11.25 mJ
    - 最大功耗 (PD): 41.7 W (独立于工作温度)

    产品特点和优势


    - 高可靠性: 经过 100% 的 Rg 和 UIS 测试,确保在高压和高频条件下的可靠性能。
    - 高性能: 在 VGS = 10 V 条件下,导通电阻 (RDS(on)) 仅为 0.073 Ω。
    - 低门电阻 (Rg): 门电阻最小为 0.4 Ω,适合高速开关应用。
    - 良好的热性能: 结至环境的热阻 (RthJA) 为 60 °C/W,结至外壳的热阻 (RthJC) 为 3 °C/W,有助于高效散热。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 直流-直流转换器: 用于电源转换,提高能效。
    - 直流-交流逆变器: 实现电机驱动系统的高效控制。
    - 电机驱动: 在电机控制系统中提供高效的开关控制。
    使用建议
    - 散热设计: 确保良好的散热,以避免由于高温导致的性能下降。
    - 布局优化: 针对 PCB 设计进行优化,确保良好的电气连接和热管理。
    - 驱动电路: 根据具体应用需求选择合适的驱动电路,以实现最佳的开关性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 适用于标准 TO-252 封装,易于集成到各种应用中。
    - 技术支持: 提供详细的技术文档和支持服务,帮助客户更好地理解和应用该产品。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 最大漏极电流是否会超过额定值?
    - 解决方案: 确保应用中的电流不超过额定值,并采用适当的散热措施。
    2. 如何防止门极震荡?
    - 解决方案: 添加适当的门极电阻 (Rg) 和电容 (Cgs),以稳定门极信号并减少振荡。
    3. 如何测量漏源电压 (VDS)?
    - 解决方案: 使用高精度万用表或示波器,在 VGS = 0 V 条件下测量 VDS。

    总结和推荐



    总结


    NID6002NT4G N-Channel 60V MOSFET 是一款高性能、高可靠性的功率 MOSFET,特别适用于各种电力转换和电机驱动应用。其出色的导通电阻、低门电阻和良好的热性能使其成为广泛应用的理想选择。
    推荐
    鉴于其卓越的性能和可靠性,我们强烈推荐 NID6002NT4G MOSFET 用于需要高效、可靠的电力转换和电机驱动的应用场景。

NID6002NT4G-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
Id-连续漏极电流 18A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 73mΩ@10V,85mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NID6002NT4G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NID6002NT4G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NID6002NT4G-VB NID6002NT4G-VB数据手册

NID6002NT4G-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 1.2089
2500+ ¥ 1.1586
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