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BSC076N06NS3 G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,90A,RDS(ON),6mΩ@10V,20Vgs(±V);3.6Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
供应商型号: BSC076N06NS3 G-VB QFN8(5X6)
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) BSC076N06NS3 G-VB

BSC076N06NS3 G-VB概述

    BSC076N06NS3 G-VB N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    BSC076N06NS3 G-VB 是一款由台湾VBsemi Electronics Co., Ltd. 生产的高性能N沟道60V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款MOSFET采用了先进的TrenchFET®技术,能够在极端的工作环境下提供出色的性能。它广泛应用于电源管理、电机驱动、开关电源以及其他需要高效能功率转换的应用领域。

    2. 技术参数


    以下是BSC076N06NS3 G-VB的关键技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | - | 60 | V |
    | 栅阈值电压 | VGS(th)| - | - | - | V |
    | 栅体漏电流 | IGSS | - | - | ± 100 | nA |
    | 零栅压漏电流 | IDSS | - | - | 1 | µA |
    | 导通状态下漏极电流 | ID | 60 | - | - | A |
    | 导通状态下的导通电阻 | RDS(on) | 17 | 22 | 33 | mΩ |
    | 输入电容 | Ciss | 2650 | - | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 470 | - | pF |
    | 反向转移电容 | Crss | - | 225 | - | pF |
    | 总栅电荷 | Qg | 47 | 58.5 | 70 | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs | 10 | - | - | nC |
    | 栅漏电荷 | Qgd | 12 | - | - | nC |
    其他关键指标如下:
    - 栅源电压:±20 V
    - 最大脉冲漏极电流:100 A
    - 最大连续漏极电流(TJ=175℃):65 A
    - 最大功耗:136 W(@ TA=25℃)
    - 热阻抗:稳态情况下,结到外壳(RthJC)为0.85°C/W;结到环境(RthJA)为15°C/W(≤10秒)

    3. 产品特点和优势


    - 高温稳定性:最高结温可达175°C,确保在极端温度条件下稳定工作。
    - 低导通电阻:RDS(on) 仅为22mΩ(典型值),有助于提高系统效率并降低发热。
    - 高可靠性:采用TrenchFET®技术,确保长期使用的可靠性和耐用性。
    - 高抗雪崩能力:能够承受高达125mJ的单次雪崩能量冲击。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    1. 电源管理:作为开关电源中的关键组件,利用其高效的功率转换能力,提高整体系统的能源效率。
    2. 电机驱动:在电动机控制应用中,提供稳定的电流控制和快速响应时间,提升电机运行效率。
    3. 电池管理系统:在高要求的电池充电和放电过程中,保证安全和效率。
    使用建议:
    1. 散热设计:由于其较高的功率损耗(最大136W),建议使用大面积散热片或者液体冷却系统以确保最佳性能。
    2. 保护电路:考虑到高雪崩耐受性,在设计保护电路时应充分考虑其保护机制。
    3. 温度监控:在长时间高负荷运行下,应定期监测结温以确保不超过175°C的最大允许温度。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:BSC076N06NS3 G-VB 可以方便地安装在标准的FR4板上,并且与多种封装方式兼容,适合大多数PCB设计。
    - 技术支持:台湾VBsemi公司提供了全面的技术支持和售后服务,包括详细的用户手册、在线技术支持等。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何测量漏源导通电阻(RDS(on))?
    解决方案:使用专用仪器如MOSFET测试仪,并按照制造商提供的测试条件进行测量。

    - 问题2:如何处理过高的栅源电压?
    解决方案:安装合适的栅极保护二极管,并确保驱动电路设计正确,避免过高电压施加于栅极。
    - 问题3:产品损坏后能否修复?
    解决方案:绝对最大额定值以外的电压可能导致永久性损坏。若发现异常,应立即停止使用并联系制造商进行检测维修。

    7. 总结和推荐


    BSC076N06NS3 G-VB N-Channel MOSFET凭借其出色的高温稳定性、低导通电阻和高抗雪崩能力,成为高性能功率转换应用的理想选择。它的应用范围广泛,尤其适用于高功率密度和恶劣环境下的工业级应用。强烈推荐给需要高性能功率器件的设计工程师和采购经理。

BSC076N06NS3 G-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.6V
栅极电荷 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 90A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
通用封装 QFN-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

BSC076N06NS3 G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

BSC076N06NS3 G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 BSC076N06NS3 G-VB BSC076N06NS3 G-VB数据手册

BSC076N06NS3 G-VB封装设计

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100+ ¥ 4.0499
500+ ¥ 3.7259
5000+ ¥ 3.5639
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