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4423M-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 P沟道,-30V,-7A,RDS(ON),23mΩ@10V,29mΩ@4.5V,66mΩ@2.5V,20Vgs(±V);-1.37Vth(V) 封装:SOP8 用于电源管理、驱动和汽车电子等多种领域的模块中,其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择。
供应商型号: 4423M-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 4423M-VB

4423M-VB概述


    产品简介


    P-Channel 30-V MOSFET
    P-Channel 30-V MOSFET(以下简称P-MOSFET)是一种高效率、高性能的电子元器件,主要用于负载开关和电池开关等应用。该产品采用先进的TrenchFET®技术,具有低导通电阻和优异的热稳定性。此外,该产品完全符合RoHS标准,无卤素,确保环保安全。

    技术参数


    - 漏源电压 (VDS): -30V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - TC = 25°C: -9.0A
    - TC = 70°C: -7.2A
    - TA = 25°C: -7.0A
    - TA = 70°C: -5.6A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): -30A
    - 最大功率耗散 (PD):
    - TC = 25°C: 4.2W
    - TC = 70°C: 2.7W
    - TA = 25°C: 2.5W
    - TA = 70°C: 1.6W
    - 热阻 (RthJA):
    - 最大值: 50°C/W
    - 典型值: 40°C/W
    - 阈值电压 (VGS(th)): -1.0V ~ -2.5V
    - 零门极电压漏极电流 (IDSS): -1μA
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = -10V, ID = -7.0A: 0.018Ω
    - VGS = -4.5V, ID = -5.6A: 0.024Ω
    - 总栅极电荷 (Qg):
    - VDS = -15V, VGS = -10V, ID = -7.0A: 25~38nC
    - VDS = -15V, VGS = -4.5V, ID = -7.0A: 13~20nC

    产品特点和优势


    - 低导通电阻: 在-10V门极电压下,RDS(on)为0.018Ω,在-4.5V门极电压下,RDS(on)为0.024Ω。
    - 优异的热稳定性: 热阻低至40°C/W,保证了器件在高温环境下的可靠性。
    - 快速开关特性: 开关时间短,td(on)为10~20ns,td(off)为23~35ns。
    - 环境友好: 完全符合RoHS标准,无卤素,适合现代环保要求的应用。

    应用案例和使用建议


    - 负载开关: P-MOSFET适用于负载开关,能够实现高效能、低损耗的开关操作。
    - 电池开关: 在电池管理系统中,P-MOSFET能够提供可靠的过流保护。

    使用建议:
    - 确保散热设计良好,避免热应力对器件造成损坏。
    - 在电路设计时,考虑器件的热阻特性,合理选择散热材料以提高可靠性。

    兼容性和支持


    P-MOSFET采用标准的SO-8封装,易于焊接和安装。官方技术支持和服务热线为400-655-8788,提供了详尽的技术文档和用户支持,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 设备在高温度环境下工作时出现过热现象。
    - 解决办法: 优化散热设计,增加散热片或使用外部风扇进行冷却。
    - 问题: 电源电流不稳定。
    - 解决办法: 检查输入电压和电路连接是否正确,确保接地良好。

    总结和推荐


    P-MOSFET是一款高性能、高可靠性的P通道MOSFET,广泛适用于负载开关和电池开关等领域。其低导通电阻和优异的热稳定性使其成为同类产品的佼佼者。建议在需要高效开关控制的应用中优先选用P-MOSFET。

4423M-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 7A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 23mΩ@10V,29mΩ@4.5V,66mΩ@2.5V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.37V
配置 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个P沟道
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

4423M-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

4423M-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 4423M-VB 4423M-VB数据手册

4423M-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
25+ ¥ 1.2635
100+ ¥ 1.1699
500+ ¥ 1.1231
4000+ ¥ 1.0763
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型号 价格(含增值税)
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