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FQPF20N60C-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F 该产品可用于设计各种类型的电力模块,包括交流/直流变换器和电机驱动器,以满足工业和商业领域的电力需求。
供应商型号: FQPF20N60C-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQPF20N60C-VB

FQPF20N60C-VB概述

    FQPF20N60C-VB N-Channel 650 V (D-S) Super Junction Power MOSFET

    1. 产品简介


    FQPF20N60C-VB 是一款高功率、低损耗的N沟道超级结功率MOSFET,主要适用于高压直流电路。它采用了先进的超级结技术,能够在高电压和大电流条件下实现极低的导通电阻(RDS(on)),从而显著降低损耗并提高效率。该产品广泛应用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源、照明系统(如高强度放电灯和荧光灯照明)及工业领域。

    2. 技术参数


    - 最高漏源电压(VDS): 650V
    - 最大连续漏电流(ID): 20A (TC = 100°C)
    - 最大脉冲漏电流(IDM): 53A
    - 静态漏源击穿电压(VDS): 650V
    - 栅源阈值电压(VGS(th)): 2-5V
    - 总栅电荷(Qg): 106nC
    - 输入电容(Ciss): 2322pF
    - 输出电容(Coss): 105pF
    - 反向传输电容(Crss): 4pF
    - 零栅电压漏电流(IDSS): <1μA (VDS = 520V, VGS = 0V, TJ = 125°C)
    - 反向恢复时间(trr): 160ns
    - 热阻(RthJA): 62°C/W
    - 工作温度范围(TJ, Tstg): -55°C 至 +150°C

    3. 产品特点和优势


    - 低损耗设计: FQPF20N60C-VB 的Ron x Qg数值低,表明在导通和开关过程中能有效减少损耗,从而提高整体效率。
    - 快速开关特性: 低输入电容(Ciss)和超低栅电荷(Qg)使该器件在高速开关操作中表现出色,特别适合高频应用。
    - 高可靠性: 额定重复性雪崩能量(UIS)保证了该器件在极端条件下的耐用性。
    - 易于驱动: 较低的栅极电荷(Qg)使其更容易被现有的驱动器电路驱动。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 服务器和电信电源: 在这类高功率密度系统中,FQPF20N60C-VB 可以有效地管理高电流,同时保持低功耗。
    - 照明系统: 在高强度放电灯和荧光灯照明系统中,该器件能够提供稳定的电源转换,确保系统的可靠运行。
    使用建议:
    - 确保散热设计合理,因为高温会增加器件的导通电阻。
    - 使用较低的栅极电阻(Rg)以加速开关速度,但注意不要导致过高的开关损耗。
    - 定期进行热测试,确保器件不会超过其绝对最大额定值。

    5. 兼容性和支持


    该产品与标准的TO-220封装兼容,可轻松集成到现有电路板设计中。厂商提供详细的技术支持文档和专业服务,确保客户在使用过程中能够获得最佳体验。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 开关过程中发热过多
    - A: 检查散热设计是否合理,考虑使用更好的散热材料或改进散热途径。
    - Q: 开关损耗较高
    - A: 尝试减小栅极电阻(Rg),加速开关速度,但要注意不要导致过多的开关损耗。
    - Q: 漏电流过高
    - A: 确认电路连接正确,栅极驱动信号稳定,无干扰。

    7. 总结和推荐


    FQPF20N60C-VB凭借其出色的低损耗、快速开关特性和高可靠性,成为一款非常优秀的高压功率MOSFET。无论是服务器电源、电信设备还是工业应用,都能发挥其卓越的性能。我们强烈推荐在需要高效率和可靠性的应用中采用这款产品。

FQPF20N60C-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 20A
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 30V
栅极电荷 -
配置 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FQPF20N60C-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQPF20N60C-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FQPF20N60C-VB FQPF20N60C-VB数据手册

FQPF20N60C-VB封装设计

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