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IXTP88N085T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,80V,100A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.7Vth(V) 封装:TO220\n适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块,如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。
供应商型号: IXTP88N085T-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IXTP88N085T-VB

IXTP88N085T-VB概述

    IXTP88N085T-VB N-Channel 80 V MOSFET 技术手册

    产品简介


    IXTP88N085T-VB 是一款由 VBsemi 生产的 N 沟道 80 V (D-S) 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这款 MOSFET 采用 TrenchFET® 技术,旨在提供出色的电气特性和热性能,适用于多种应用场景。主要用途包括初级侧开关、同步整流、DC/AC 逆变器和 LED 背光等。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏极-源极电压 (VDS): 80 V
    - 栅极-源极电压 (VGS): ±20 V
    - 持续漏极电流 (TJ = 150 °C): 28.6 A (TC = 25 °C), 24.9 A (TC = 70 °C)
    - 单脉冲雪崩电流 (IL = 0.1 mH): 30 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 45 mJ
    - 最大功耗 (TC = 70 °C): 180 W (TC = 25 °C)
    - 典型特性
    - 静态特性:
    - 漏极-源极击穿电压 (VDS): 80 V
    - 漏极-源极导通电阻 (RDS(on)): 7 mΩ (VGS = 10 V), 9 mΩ (VGS = 4.5 V)
    - 零栅极电压漏极电流 (IDSS): 1 μA
    - 动态特性:
    - 输入电容 (Ciss): 3855 pF
    - 输出电容 (Coss): 1120 pF
    - 反向转移电容 (Crss): 376 pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 35.5 nC (VDS = 40 V, VGS = 10 V)

    产品特点和优势


    IXTP88N085T-VB 具有以下几个显著特点:
    - TrenchFET® 技术: 提供更高的效率和更低的导通电阻。
    - 100% Rg 和 UIS 测试: 确保产品的可靠性和耐用性。
    - 宽广的工作温度范围: 可在 -55°C 至 150°C 的温度范围内稳定工作。

    应用案例和使用建议


    IXTP88N085T-VB 广泛应用于电源转换器、LED 照明系统和同步整流电路。为了获得最佳性能,建议在使用时注意以下几点:
    - 确保正确的散热设计以避免过热。
    - 使用低阻抗栅极驱动器来减少开关损耗。
    - 选择合适的 PCB 布局以最大限度地减少寄生电感和电容。

    兼容性和支持


    IXTP88N085T-VB 与标准 TO-220AB 封装兼容,适用于大多数标准焊接工艺。VBsemi 提供了全面的技术支持,包括产品选型指导、测试报告和技术文档。如有需要,用户可以联系 VBsemi 的客户服务热线 400-655-8788 获取进一步的支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 漏极-源极电压 (VDS) 超过额定值。
    - 解决方案: 确保电路设计符合 VDS 的额定值,使用适当的保护措施如稳压器或保险丝。
    - 问题: 开关频率过高导致过热。
    - 解决方案: 优化散热设计,降低工作频率,使用外部散热片或散热风扇。

    总结和推荐


    IXTP88N085T-VB 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,适合于各种高可靠性要求的应用场合。其卓越的电气特性和广泛的工作温度范围使其成为许多电力转换和控制系统的理想选择。强烈推荐在高效率、紧凑型设计和可靠性的应用中使用此产品。
    如果您有任何疑问或需要更多技术支持,请随时联系 VBsemi 的客户服务团队。

IXTP88N085T-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,9mΩ@4.5V
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 80V
Id-连续漏极电流 100A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.7V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IXTP88N085T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IXTP88N085T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IXTP88N085T-VB IXTP88N085T-VB数据手册

IXTP88N085T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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