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FDPF18N20FT_G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,200V,20A,RDS(ON),90mΩ@10V,100mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:TO220F 由于其高漏极-源极电压和较大的漏极电流容量,可用于开关电源、逆变器和DC/DC转换器等电源模块,实现稳定高效的电能转换。
供应商型号: FDPF18N20FT_G-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDPF18N20FT_G-VB

FDPF18N20FT_G-VB概述

    FDPF18N20FTG-VB N-Channel 200 V MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    FDPF18N20FTG-VB 是一款 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种工业和消费电子产品。它具有表面贴装和低轮廓通孔两种封装形式,且可通过卷带包装方便运输和储存。此型号MOSFET的主要功能包括高动态dv/dt额定值、快速开关和全面的雪崩额定值,使其广泛应用于电源管理和电机驱动等应用领域。

    2. 技术参数


    - 电压规格:漏源击穿电压(VDS)为200V,最大脉冲漏极电流(IDM)为72A。
    - 静态特性:零栅极电压漏极电流(IDSS)为25μA(当VDS=160V,TJ=125°C时)。
    - 动态特性:输入电容(Ciss)为1300pF,输出电容(Coss)为430pF。
    - 温度范围:操作结温和存储温度范围为-55°C至+150°C。
    - 热阻抗:最大结壳热阻(RthJC)为0°C/W,最大结对环境热阻(RthJA)为40°C/W。

    3. 产品特点和优势


    - 环保设计:符合IEC 61249-2-21标准的无卤素设计,以及符合RoHS指令2002/95/EC标准。
    - 高速切换:具备高动态dv/dt额定值,适合高频电路的应用。
    - 全雪崩额定值:能承受高能量的雪崩电流冲击,保证可靠运行。
    - 低电阻:在VGS=10V时,导通电阻(RDS(on))仅为0.058Ω。

    4. 应用案例和使用建议


    FDPF18N20FTG-VB 在许多电力电子应用中表现优异,如直流-直流转换器、电池充电器和电机驱动系统。对于高频电路,建议在设计时考虑低寄生电感和接地平面以减少噪声干扰。此外,合理的布局和布局规划将有助于提高其性能并延长使用寿命。

    5. 兼容性和支持


    该产品与其他电子元器件和设备具有良好的兼容性,可直接替换市面上同类产品。厂商提供详细的技术支持和售后服务,包括在线文档、技术咨询和现场支持,确保用户能够顺利应用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:高温度下MOSFET损坏
    解决方案:确保散热设计合理,使用适当的散热片或风扇进行散热。
    - 问题2:开关过程中出现过电压
    解决方案:在设计中加入瞬态电压抑制二极管(TVS),以吸收可能产生的瞬态电压。
    - 问题3:电流过高导致烧毁
    解决方案:根据实际工作电流选择合适的驱动电阻,确保驱动信号稳定。

    7. 总结和推荐


    综上所述,FDPF18N20FTG-VB 是一款高性能的N-Channel MOSFET,具有广泛的适用性和强大的技术优势。无论是需要处理大电流的电源管理应用还是要求高频率切换的电路设计,这款MOSFET都将是理想的选择。我们强烈推荐此产品给所有需要高性能、可靠性和良好温度适应性的电子设备制造商和工程师。
    如需进一步了解或购买,请联系台湾VBsemi公司,获取更多技术支持和服务。

FDPF18N20FT_G-VB参数

参数
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 20A
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 90mΩ@10V,100mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 200V
FET类型 1个N沟道
配置 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FDPF18N20FT_G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDPF18N20FT_G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FDPF18N20FT_G-VB FDPF18N20FT_G-VB数据手册

FDPF18N20FT_G-VB封装设计

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