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IRFR2407TRPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,45A,RDS(ON),18mΩ@10V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: IRFR2407TRPBF-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFR2407TRPBF-VB

IRFR2407TRPBF-VB概述

    IRFR2407TRPBF N-Channel 100-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRFR2407TRPBF 是一款由VBsemi生产的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款MOSFET具备高效率、低导通电阻等特点,适用于多种电子应用场合,如电源管理、开关电路、以及隔离式DC/DC转换器等领域。主要特性包括:
    - 产品类型:N沟道TrenchFET® Power MOSFET
    - 主要功能:高压开关和高效电流控制
    - 应用领域:隔离式DC/DC转换器、电源管理、开关电路

    技术参数


    以下是IRFR2407TRPBF的主要技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | 100 | - | V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | - | 0.0185 | - | Ω |
    | 持续漏极电流 (TJ=150°C) | ID | 6.8 | - | 9.2 | A |
    | 最大耗散功率 (TC=25°C) | PD | - | 136.4 | - | W |
    | 极限温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | 175 | °C |
    | 门级至源级阈值电压 | VGS(th) | 2.5 | - | 5 | V |

    产品特点和优势


    IRFR2407TRPBF拥有以下几个显著的优势:
    1. 高可靠性:所有产品均经过100% Rg和UIS测试。
    2. 低导通电阻:典型导通电阻仅为0.0185Ω,使得器件在高电流情况下仍能保持低损耗。
    3. 快速响应:具有低栅极电荷和快速开关时间,确保在高频应用中表现优异。
    4. 高集成度:采用TrenchFET技术,提供卓越的电气特性和紧凑封装。

    应用案例和使用建议


    - 隔离式DC/DC转换器:IRFR2407TRPBF的高耐压能力和低损耗使其成为隔离式DC/DC转换器的理想选择。
    - 电源管理:由于其低导通电阻,它非常适合用于电源管理,可以有效减少功耗。
    - 开关电路:由于其高速开关性能,IRFR2407TRPBF也非常适合用于各种类型的开关电路。
    使用建议:
    - 在设计电路时,确保散热设计符合器件的热阻要求,以避免过热导致的性能下降。
    - 为防止栅极过电压,建议使用适当的保护电路,如TVS二极管。
    - 在高频应用中,应注意寄生电容的影响,合理布局电路以减少不必要的寄生效应。

    兼容性和支持


    IRFR2407TRPBF 支持标准的 TO-252 封装,可以方便地安装在各种印刷电路板上。制造商提供了详细的文档和技术支持,以帮助用户进行设计和调试。对于产品支持和维护问题,可以通过服务热线400-655-8788联系VBsemi公司。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何确定最佳的栅极电阻?
    - 答:通常需要根据具体应用的要求来调整。参考手册中的建议,并使用公式计算合适的栅极电阻值。
    2. 问:在高频率应用中如何减少寄生电容的影响?
    - 答:合理布局电路,尽可能缩短栅极引线的长度,并使用去耦电容来减小寄生效应。
    3. 问:如何处理过高的工作温度?
    - 答:在设计散热系统时,确保满足手册中的热阻要求。使用散热片或风扇来增强散热效果。

    总结和推荐


    综上所述,IRFR2407TRPBF N-Channel 100-V MOSFET 是一款高性能的MOSFET器件,适合于各种高可靠性、高效率的应用场合。其优秀的电气特性、紧凑的设计以及良好的技术支持使其在市场上具有很强的竞争力。强烈推荐在需要高效、可靠电力转换的项目中使用这款产品。

IRFR2407TRPBF-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Rds(On)-漏源导通电阻 18mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 45A
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.2V
配置 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRFR2407TRPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFR2407TRPBF-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFR2407TRPBF-VB IRFR2407TRPBF-VB数据手册

IRFR2407TRPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 2.9798
2500+ ¥ 2.8502
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