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AFP3401SS23RG-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 VBsemi的Single P系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种灵活多用、性能稳定的电子元件,适用于各种不同的领域和模块。 VDS(漏极-源极电压)为-30V,VGS(栅极-源极电压)范围为±20V,阈值电压(Vth)为-1.7V。在VGS=4.5V时的导通电阻为54mΩ,在VGS=10V时为46mΩ,最大漏极电流(ID)为-5.6A(负数表示为P沟道器件),这些MOSFET采用Trench技术制造,封装形式为SOT23-3。
供应商型号: AFP3401SS23RG-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) AFP3401SS23RG-VB

AFP3401SS23RG-VB概述

    AFP3401SS23RG P-Channel 30V MOSFET 技术手册

    产品简介


    AFP3401SS23RG 是一款 P 沟道 30V(D-S)MOSFET,采用 SOT-23 封装。这款 MOSFET 适用于便携式计算设备中的负载开关、笔记本适配器开关和直流-直流转换器等领域。它采用了 TrenchFET® 技术,保证了在各种严苛环境下的高可靠性和优异性能。

    技术参数


    - 额定电压(VDS):30V
    - 连续漏极电流(TJ = 150°C):
    - TC = 25°C 下:-5.6A
    - TC = 70°C 下:-5.1A
    - TA = 25°C 下:-5.4A
    - TA = 70°C 下:-4.3A
    - 脉冲漏极电流(t = 100 µs):-18A
    - 持续源极-漏极二极管电流(TC = 25°C):-2.1A
    - 最大功率耗散(TC = 25°C):2.5W
    - 工作结温及存储温度范围:-55°C 至 150°C
    - 热阻:
    - 最大结点到环境的热阻(t ≤ 5 s):75-100°C/W
    - 最大结点到脚(漏极)稳态热阻:40-50°C/W

    产品特点和优势


    - TrenchFET® 技术:实现了低导通电阻和高可靠性。
    - 100% Rg 测试:确保每个产品的质量。
    - 广泛的应用领域:适用于多种便携式计算设备中的关键部件,如负载开关、笔记本适配器和 DC/DC 转换器。
    - 宽温度范围:可在极端环境下稳定工作。

    应用案例和使用建议


    - 负载开关:适用于需要快速响应和高效能的场合。
    - 笔记本适配器开关:由于其高可靠性,适合用于电池管理。
    - 直流-直流转换器:具有低导通电阻,适合需要高效率转换的应用。
    使用建议:在设计电路时,应考虑到散热问题,确保良好的热管理以避免热关断。此外,选择合适的栅极驱动电阻也很重要,以确保正确的开关时间和性能。

    兼容性和支持


    AFP3401SS23RG 与市面上大多数标准 SOT-23 封装的 PCB 板相兼容。制造商提供全面的技术支持和维修服务,以确保客户能够在整个产品生命周期内获得最佳体验。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:过高的温度导致器件损坏。
    - 解决方案:增加散热片,确保良好的热管理。
    - 问题2:电路不响应。
    - 解决方案:检查栅极驱动信号,确保信号强度合适。
    - 问题3:器件过早失效。
    - 解决方案:确认电路设计符合器件的最大额定值要求,确保适当的电气保护措施。

    总结和推荐


    AFP3401SS23RG 是一款出色的 P 沟道 MOSFET,具备卓越的性能和高可靠性,适用于多种便携式计算设备。它具有优秀的热管理和高效的开关性能,使其成为工程师在设计高性能电源系统时的理想选择。综上所述,强烈推荐使用此产品。

AFP3401SS23RG-VB参数

参数
通道数量 -
配置 -
Id-连续漏极电流 5.6A
最大功率耗散 -
FET类型 1个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 47mΩ@10V,56mΩ@4.5V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

AFP3401SS23RG-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

AFP3401SS23RG-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 AFP3401SS23RG-VB AFP3401SS23RG-VB数据手册

AFP3401SS23RG-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
80+ ¥ 0.3493
300+ ¥ 0.3234
500+ ¥ 0.3105
3000+ ¥ 0.2975
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