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GV2300-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V);0.45~1Vth(V) 封装:SOT23-3 \n 一款单 N 型场效应晶体管,适用于多种应用场景。其特点包括低阈值电压、低漏极-源极导通电阻和高漏极-源极电压。
供应商型号: GV2300-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) GV2300-VB

GV2300-VB概述

    # N-Channel 20V (D-S) MOSFET 产品技术手册

    产品简介


    基本信息
    本文档介绍的是VBsemi公司的N-Channel 20V (D-S) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这是一种用于直流转换器和便携式设备负载开关的高效功率MOSFET。该器件具有卤素无添加、符合RoHS指令和100% Rg测试等特点,确保了其在各种应用中的可靠性和环保性。
    主要功能
    - 高压控制能力:该MOSFET的最大栅源电压为±12V,最高漏源电压为20V,能承受高达20V的瞬态电压。
    - 低导通电阻:在VGS=4.5V时,导通电阻RDS(on)为0.028Ω,在VGS=2.5V时为0.042Ω,在VGS=1.8V时为0.050Ω,有效降低了导通损耗。
    - 高电流承载能力:最大连续漏极电流可达6A,脉冲漏极电流可达20A。

    技术参数


    极限参数
    - 漏源电压 (VDS): 20V
    - 栅源电压 (VGS): ±12V
    - 最大连续漏极电流 (ID): 6A (TC=25°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 20A
    - 漏源体二极管最大反向恢复时间 (trr): 12ns (IS=4A, dI/dt=100A/µs, TJ=25°C)
    静态参数
    - 漏源击穿电压 (VDS): 20V (VGS=0V, ID=250µA)
    - 漏源通态电阻 (RDS(on)):
    - VGS=4.5V, ID=5.0A时为0.028Ω
    - VGS=2.5V, ID=4.7A时为0.042Ω
    - VGS=1.8V, ID=4.3A时为0.050Ω
    动态参数
    - 输入电容 (Ciss): 865pF (VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz)
    - 输出电容 (Coss): 105pF
    - 门电荷 (Qg):
    - VDS=10V, VGS=5V, ID=5.0A时为12~18nC
    - VDS=10V, VGS=4.5V, ID=5.0A时为8.8~14nC

    产品特点和优势


    特点
    - 环境友好:符合IEC 61249-2-21标准,无卤素材料。
    - 高性能:拥有低导通电阻和高电流承载能力,适用于多种电力电子应用。
    - 可靠性:100% Rg测试,确保产品质量。
    - 安全性:符合RoHS标准,符合欧洲电子电器设备中有害物质限制使用指令。
    优势
    - 在高温度条件下仍能保持良好的性能,保证了其在恶劣环境下的稳定性和可靠性。
    - 减少了电路的能耗,从而提高了整体效率。
    - 具备快速开关能力和较低的栅极电荷,使其在高频应用中表现优异。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - DC/DC转换器:用于电压调节和能量转换,提高系统的效率。
    - 便携式设备负载开关:用于智能手机、平板电脑等便携设备的电源管理。
    使用建议
    - 在使用前,务必参考绝对最大额定值部分,确保操作条件不会超出极限参数。
    - 在高频应用中,应注意散热设计,以避免过热损坏。
    - 为了减少开关损耗,建议在合适的工作条件下调整VGS,以便实现最优的RDS(on)值。

    兼容性和支持


    该MOSFET与标准的SOT-23封装兼容,可轻松安装在常见的PCB板上。VBsemi公司提供了详细的技术支持文档和客户服务中心,以确保用户在使用过程中遇到任何问题都能得到及时有效的帮助。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案
    - 问题1: 在高频率下工作时,如何降低开关损耗?
    - 解决方案: 调整VGS电压以获得最佳的RDS(on)值,同时采用合适的散热措施。
    - 问题2: 如何处理过高的温度问题?
    - 解决方案: 确保良好的散热设计,如加装散热片或散热风扇,并适当降额使用。

    总结和推荐


    综合评估
    VBsemi公司的这款N-Channel 20V (D-S) MOSFET凭借其出色的导通电阻、低漏电流、高可靠性等特点,成为了一款非常适合在DC/DC转换器和便携设备中使用的理想选择。其无卤素材料、符合RoHS标准的特点,更是让其在绿色环保方面脱颖而出。
    推荐意见
    强烈推荐在需要高效电源管理和良好性能的应用场合中使用此产品。无论是家用电器还是工业设备,这款MOSFET都能提供卓越的表现和稳定性。

GV2300-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 20V
通道数量 -
配置 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 6A
Vgs-栅源极电压 8V
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 450mV~1V
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

GV2300-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

GV2300-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 GV2300-VB GV2300-VB数据手册

GV2300-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
115+ ¥ 0.2328
300+ ¥ 0.2156
500+ ¥ 0.207
3000+ ¥ 0.1984
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