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IXTP08N50D2-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 500V,13A,RDS(ON),660mΩ@10V,20Vgs(±V);3.1Vth(V) 封装:TO220一款Single N结构的功率MOSFET,具有中等电压和电流特性,该器件适用于电源模块.
供应商型号: IXTP08N50D2-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IXTP08N50D2-VB

IXTP08N50D2-VB概述

    # IXTP08N50D2-VB 电子元器件产品手册

    产品简介


    IXTP08N50D2-VB 是一款 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有多项先进技术特点。该器件适用于多种电力转换和驱动应用,包括电源管理、电动机控制、直流/直流转换器及其它高压系统。这款器件的设计目标是降低门极电荷,简化驱动需求,提高耐用性和可靠性。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | - | 500 | V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | - | 0.660 | - | Ω (VGS=10V) |
    | 总栅极电荷 | Qg(max) | - | - | 81 | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs | - | 20 | - | nC |
    | 栅漏电荷 | Qgd | - | - | 36 | nC |
    | 驱动要求 | - | 门极电压:±20V | 门极驱动电阻:25Ω | -
    绝对最大额定值:
    - 漏源电压:500 V
    - 持续漏电流:8.1 A
    - 单脉冲雪崩能量:560 mJ
    - 最大功耗:250 W
    - 峰值二极管恢复电压:9.2 V/ns
    - 工作结温和存储温度范围:-55 至 +150 °C
    热阻抗参数:
    - 最大结到环境热阻:62 °C/W
    - 最大结到外壳(漏极)热阻:0.50 °C/W

    产品特点和优势


    IXTP08N50D2-VB 功率 MOSFET 通过降低门极电荷,简化驱动电路设计,提高了门极、雪崩和动态 dv/dt 的鲁棒性。其全面的电容和雪崩电压特征,使得它能够在严格的 RoHS 指令下使用。这些特性使得该器件非常适合于需要高可靠性和稳定性的电力电子应用。

    应用案例和使用建议


    该产品广泛应用于电机控制、逆变器、开关电源和负载开关等领域。在电机控制应用中,其低导通电阻可以有效降低损耗。在逆变器应用中,其快速的开关特性可以减少能量损失并提高效率。建议在使用时确保散热良好,避免高温导致性能下降。

    兼容性和支持


    IXTP08N50D2-VB 与常见的电子设备和控制器具有良好兼容性,适用于各种标准应用。厂商提供详细的技术文档和支持,以帮助用户正确使用和维护该器件。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:长时间运行时,器件发热严重。
    - 解决方案:检查散热系统是否正常工作,确保良好的热管理。
    2. 问题:驱动电路不稳定。
    - 解决方案:检查驱动电路设计,确保合适的门极驱动电阻和门极电压。
    3. 问题:器件在大电流冲击下失效。
    - 解决方案:在设计时考虑过流保护机制,避免超出器件的最大允许电流。

    总结和推荐


    IXTP08N50D2-VB 功率 MOSFET 在其同类产品中具有显著的优势,特别是其低导通电阻、高可靠性以及简易的驱动需求。对于需要高效、高可靠性电力电子解决方案的应用来说,它是一个非常值得推荐的选择。然而,在使用时务必注意散热管理和正确设计驱动电路,以充分发挥其性能。

IXTP08N50D2-VB参数

参数
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 660mΩ@ 10V
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.1V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 500V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 13A
栅极电荷 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IXTP08N50D2-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IXTP08N50D2-VB数据手册

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IXTP08N50D2-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.4551
1000+ ¥ 3.3111
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