处理中...

首页  >  产品百科  >  UPA1724G-VB

UPA1724G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,20V,15A,RDS(ON),6mΩ@4.5V,8mΩ@2.5V,12Vgs(±V);0.65Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: UPA1724G-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UPA1724G-VB

UPA1724G-VB概述

    N-Channel 20-V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    N-Channel 20-V (D-S) MOSFET 是一种高性能的低侧场效应晶体管(Low-Side MOSFET),适用于同步降压转换器。这种MOSFET采用先进的TrenchFET®技术,能够在多种应用中提供卓越的性能,包括游戏机和PC。它在电源管理和开关电路中表现优异,是电源转换和控制的关键组件。

    2. 技术参数


    - 基本规格
    - 漏源电压 (VDS): 20V
    - 栅源电压 (VGS): ±16V
    - 最大连续漏电流 (TJ = 150°C): 20A
    - 最大脉冲漏电流 (IDM): 50A
    - 最大单脉冲雪崩电流 (IAS): 30A
    - 最大雪崩能量 (EAS): 45mJ
    - 最大功率耗散 (TC = 25°C): 5.7W
    - 静态特性
    - 漏源击穿电压 (VDS): 20V
    - 阈值电压 (VGS(th)): 1.0V ~ 2.1V
    - 零栅电压漏电流 (IDSS): 1μA
    - 导通状态漏电流 (ID(on)): 30A
    - 导通状态电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 4.5V时: 0.0049Ω
    - VGS = 2.5V时: 0.0056Ω
    - 反向传输电容 (Crss): 315pF
    - 总栅极电荷 (Qg):
    - VDS = 10V时: 27.5nC ~ 42nC
    - 动态特性
    - 输入电容 (Ciss): 3700pF
    - 输出电容 (Coss): 745pF
    - 反向恢复时间 (trr): 26ns ~ 50ns
    - 反向恢复电荷 (Qrr): 16nC ~ 30nC
    - 栅电阻 (Rg): 0.15Ω ~ 1.4Ω
    - 热阻
    - 结到环境的最大热阻 (RthJA): 39°C/W ~ 50°C/W
    - 结到引脚的最大热阻 (RthJF): 18°C/W ~ 22°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 环保材料:符合RoHS指令2002/95/EC,并且不含卤素。
    - 高可靠性:100% Rg和UIS测试通过,确保产品质量。
    - 低导通电阻:RDS(on)在不同工作条件下的表现稳定,确保高效能输出。
    - 低栅极电荷:栅极电荷Qg的优化设计有助于减少开关损耗,提高效率。
    - 宽温度范围:可在-55°C到150°C的温度范围内正常工作,适应多种恶劣环境。

    4. 应用案例和使用建议


    - 游戏机:用于开关电源和直流变换器,提升整体效率。
    - PC:作为低侧MOSFET,应用于CPU和GPU供电系统。

    使用建议:
    - 在设计电路时,要特别注意散热问题,尤其是在高功率应用中。
    - 根据负载情况选择合适的栅极电阻,以达到最佳的开关性能。
    - 注意在长时间工作条件下,要监控结温,避免过热。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与标准SO-8封装相兼容,易于集成到现有电路板设计中。
    - 支持:制造商提供全面的技术支持和售后服务,包括设计咨询和故障排除。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关损耗过高
    - 解决方案: 检查栅极电阻设置,调整为合适值。
    - 问题2: 热稳定性差
    - 解决方案: 增加散热片,改善散热效果。
    - 问题3: 开关速度慢
    - 解决方案: 减少寄生电容,优化电路布局。

    7. 总结和推荐


    N-Channel 20-V (D-S) MOSFET 是一款优秀的电子元器件,具有出色的性能和可靠性。它在低侧场效应应用中表现出色,尤其适合电源管理和开关电路的设计。我们强烈推荐在需要高效能、高可靠性的场合使用这款产品。

UPA1724G-VB参数

参数
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 650mV
Vds-漏源极击穿电压 20V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ@4.5V,8mΩ@2.5V
Id-连续漏极电流 15A
栅极电荷 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 12V
最大功率耗散 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UPA1724G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UPA1724G-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UPA1724G-VB UPA1724G-VB数据手册

UPA1724G-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.5943
100+ ¥ 1.4762
500+ ¥ 1.4171
4000+ ¥ 1.3581
库存: 400000
起订量: 20 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:20
合计: ¥ 31.88
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0