处理中...

首页  >  产品百科  >  NCE20H18-VB

NCE20H18-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,180A,RDS(ON),2mΩ@10V,2.8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: NCE20H18-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NCE20H18-VB

NCE20H18-VB概述

    # NCE20H18 N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    NCE20H18 是一款适用于多种应用的 N-Channel 30-V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它的主要功能包括为电源管理和负载开关提供高效可靠的解决方案。这款MOSFET广泛应用于服务器、OR-ing电路及其他需要高可靠性的电力电子系统。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 30 V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 V |
    | 持续漏极电流 (TJ = 175°C) | ID | 39 | 110 | 90 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | 30 A |
    | 雪崩电流脉冲 | IAS | 39 A |
    | 雪崩能量 | EAS | 375 mJ |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 175 | °C |
    | 热阻抗(结到环境) | RthJA | 32 40 | °C/W |
    | 热阻抗(结到外壳) | RthJC | 0.5 0.6 | °C/W |

    产品特点和优势


    1. 高度可靠性:100%的Rg 和UIS测试保证了产品的高可靠性。
    2. RoHS合规:符合欧盟RoHS指令2011/65/EU,确保环保合规。
    3. 出色的散热能力:低热阻特性有助于在高温环境下保持良好的性能。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - OR-ing电路:用于电源管理,通过减少电源切换时的瞬态电压降提高系统可靠性。
    - 服务器:提供高效的电力转换和配电,增强系统的稳定性和效率。
    使用建议
    - 散热设计:由于工作温度范围较广,确保良好的散热设计,避免过热。
    - 电流限制:根据应用需求,合理设置电流限制以保护电路。

    兼容性和支持


    NCE20H18 与其他标准TO-220封装的电子元件兼容。制造商提供详尽的技术支持和售后服务,包括在线技术支持和定期的产品更新通知。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 确保散热设计足够好,使用合适的散热片。 |
    | 高温导致性能下降 | 检查环境温度是否超出了工作范围,适当调整应用。 |
    | 开关损耗高 | 调整驱动电阻Rg,以优化开关性能。 |

    总结和推荐


    NCE20H18 N-Channel 30-V MOSFET 具备出色的工作性能、可靠性及适用性,特别适合于高可靠性要求的应用环境,如服务器、电源管理等领域。我们强烈推荐此款产品,它将为您的项目带来显著的优势。

NCE20H18-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@10V,2.8mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 180A
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.7V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

NCE20H18-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NCE20H18-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NCE20H18-VB NCE20H18-VB数据手册

NCE20H18-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.5269
100+ ¥ 2.3398
500+ ¥ 2.2462
1000+ ¥ 2.1526
库存: 400000
起订量: 15 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 37.9
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336