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K4085LS-1E-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,550V,18A,RDS(ON),260mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220F 一款Single N场效应管,具有适中的漏极电流(ID)和漏极-源极电压(VDS),适用于低至中功率电源模块、工业电机驱动模块。
供应商型号: K4085LS-1E-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K4085LS-1E-VB

K4085LS-1E-VB概述

    K4085LS-1E-VB N-Channel 550V MOSFET 技术手册

    产品简介


    K4085LS-1E-VB 是一款 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高电压和大功率应用设计。其主要功能包括低通态电阻(RDS(on))和快速开关特性。这些特性使其成为消费电子、服务器和电信电源、工业焊接和加热系统、电池充电器等领域中的理想选择。

    技术参数


    - 工作电压 (VDS):550 V
    - 通态电阻 (RDS(on)):在 VGS=10V、ID=10A 条件下为 0.26 Ω
    - 总栅极电荷 (Qg):最大值为 150 nC
    - 输入电容 (Ciss):最大值为 3094 pF
    - 输出电容 (Coss):最大值为 152 pF
    - 反向传输电容 (Crss):最大值为 13 pF
    - 最高连续漏电流 (ID):18 A @ TC=25°C,11 A @ TC=100°C
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):281 mJ
    - 最大功耗 (PD):60 W
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    1. 低通态电阻 (RDS(on)):低电阻设计提高了效率,特别是在高负载情况下。
    2. 低输入电容 (Ciss):减少了栅极驱动损耗,使得开关速度更快。
    3. 优化的体二极管特性:增强了雪崩耐受性,适用于高可靠性应用。
    4. 简单栅极驱动电路:降低了成本并简化了设计。
    5. 低图腾柱损耗 (Ron x Qg):进一步提升了效率。

    应用案例和使用建议


    K4085LS-1E-VB 在多种应用场景中表现优异,包括:
    - 消费电子:如液晶电视和等离子电视的显示驱动。
    - 工业:例如焊接和感应加热设备,因其耐高压特性。
    - 电池充电器:适用于需要高效转换的应用。
    使用建议:
    1. 选择适当的栅极驱动电阻 (Rg):根据实际应用调整 Rg 值以优化开关速度和减少热损失。
    2. 散热管理:确保良好的散热以避免过温保护。
    3. 应用场合考虑:针对不同应用场合选择合适的栅极驱动电压 (VGS)。

    兼容性和支持


    - 兼容性:K4085LS-1E-VB 可与各种通用电源设计兼容,包括 SMPS 和 PFC。
    - 支持:VBsemi 提供详细的技术支持文档和专业服务团队,帮助客户解决问题和优化设计。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高负载情况下过热。
    - 解决方案:增加散热片或采用强制冷却方式。
    2. 问题:驱动信号不稳定。
    - 解决方案:优化栅极驱动电路设计,适当减小栅极电阻 (Rg)。
    3. 问题:漏电流过大。
    - 解决方案:检查焊接质量,确保所有连接点可靠。

    总结和推荐


    K4085LS-1E-VB 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,具备卓越的电气特性和广泛的适用性。其低通态电阻、低输入电容和快速开关特性使其成为消费电子、工业控制和其他高可靠性应用的理想选择。我们强烈推荐此产品用于高电压和高功率需求的应用中。
    联系方式:400-655-8788
    官方网站:www.VBsemi.com

K4085LS-1E-VB参数

参数
最大功率耗散 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 550V
Rds(On)-漏源导通电阻 260mΩ@ 10V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 18A
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K4085LS-1E-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K4085LS-1E-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K4085LS-1E-VB K4085LS-1E-VB数据手册

K4085LS-1E-VB封装设计

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