处理中...

首页  >  产品百科  >  4424M-VB

4424M-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.8~2.5Vth(V) 封装:SOP8 适用于低功率控制和驱动应用,包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。
供应商型号: 4424M-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 4424M-VB

4424M-VB概述

    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一款专为高效率设计的电子元器件。这种MOSFET采用TrenchFET®技术制造,具有低导通电阻(RDS(on))和高电流承载能力。其主要应用于笔记本电脑CPU核心的高侧同步整流操作,特别是在电池管理和其他高效率电源转换应用中。

    技术参数


    - 基本特性:
    - 卤素无添加
    - TrenchFET® 功率MOSFET
    - 优化用于高侧同步整流操作
    - 100% Rg 测试
    - 100% UIS 测试
    - 电气特性:
    - 漏源电压 VDS: 30V
    - 连续漏极电流 ID(TJ=150℃): 13A (TC=25℃), 9A (TC=70℃)
    - 脉冲漏极电流 IDM: 45A
    - 最大功率耗散 PD(TC=25℃): 4.1W
    - 热阻参数:
    - 最大结点到环境的热阻 RthJA: 39°C/W (最大值 55°C/W)
    - 极限参数:
    - 绝对最大额定值:VDS = 30V, VGS = ±20V, TC = -55°C 至 150°C

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:在10V栅极电压下,导通电阻仅为0.008Ω,在4.5V栅极电压下,导通电阻为0.011Ω,使得器件在大多数情况下都能保持高效运行。
    - 卤素无添加:这确保了产品在环保方面的优越性。
    - 高侧同步整流优化:非常适合用于笔记本CPU核心和类似的高效率电源转换应用。

    应用案例和使用建议


    该MOSFET非常适合用于笔记本电脑CPU核心的高侧开关电路,例如电池管理系统和电源适配器。为了获得最佳性能,建议在选择外部元件时注意其电容特性和散热设计。由于其高脉冲电流能力和快速的开关时间,使用该MOSFET可以显著提升系统的整体能效。

    兼容性和支持


    本产品已通过测试并保证与其他常见的电源管理和控制系统兼容。供应商提供详尽的技术文档和支持,包括应用指南、电路图和仿真模型,帮助用户更好地理解并实现该器件的正确使用。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 在高频开关应用中,MOSFET发热严重。
    - 解决方案: 需要确保足够的散热措施,如使用大面积散热片或增加散热通道。

    - 问题2: 开关过程中出现高频振铃。
    - 解决方案: 适当增加栅极电阻以减缓开关速度,从而减少振铃现象。

    总结和推荐


    总的来说,这款N-Channel 30-V MOSFET凭借其卓越的性能和可靠性,尤其适用于要求高效率的电源转换应用。考虑到其广泛的应用范围、优秀的电气特性和高效的热管理能力,强烈推荐该产品用于需要高性能和长寿命的场合。

4424M-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 11A
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 15V
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@4.5V,17mΩ@2.5V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

4424M-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

4424M-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 4424M-VB 4424M-VB数据手册

4424M-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
25+ ¥ 1.1656
100+ ¥ 1.0793
500+ ¥ 1.0361
4000+ ¥ 0.9929
库存: 400000
起订量: 25 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:25
合计: ¥ 29.14
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336