处理中...

首页  >  产品百科  >  GN2302-VB

GN2302-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V);0.45~1Vth(V) 封装:SOT23-3 \n 一款单 N 型场效应晶体管,适用于多种应用场景。其特点包括低阈值电压、低漏极-源极导通电阻和高漏极-源极电压。
供应商型号: GN2302-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) GN2302-VB

GN2302-VB概述

    GN2302 N-Channel 20 V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    GN2302 是一款 N-Channel 20 V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于直流/直流转换器及便携式设备的负载开关。这款 MOSFET 使用了 TrenchFET® 技术,确保在高效率下的低导通电阻和高电流承载能力。该产品符合 RoHS 指令,并且是无卤素的产品,适用于对环保要求较高的场合。

    2. 技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS):20 V
    - 连续漏极电流 (ID):6 A (TC=25°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):20 A
    - 最大功率耗散 (PD):2.1 W (TC=25°C)
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 4.5 V, ID = 5.0 A 时:0.028 Ω
    - VGS = 2.5 V, ID = 4.7 A 时:0.042 Ω
    - VGS = 1.8 V, ID = 4.3 A 时:0.050 Ω
    - 门电荷 (Qg):
    - VDS = 10 V, VGS = 5 V, ID = 5.0 A 时:12 - 18 nC
    - VDS = 10 V, VGS = 4.5 V, ID = 5.0 A 时:8.8 - 14 nC
    - 工作温度范围:-55°C 至 150°C

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻 (RDS(on)):在不同 VGS 下的 RDS(on) 值极低,保证了高效的电能传输和降低功耗。
    - 快速开关特性:得益于 TrenchFET® 技术,GN2302 具有出色的开关速度,可以提高系统的整体效率。
    - 环境友好:该产品采用无卤素材料制造,符合 RoHS 和 IEC 61249-2-21 标准,适合绿色环保的应用场合。
    - 广泛的应用范围:适用于多种应用,如 DC/DC 转换器和便携式设备中的负载开关。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 便携式设备负载开关:GN2302 由于其小尺寸和低功耗特性,非常适合用于智能手机和平板电脑等便携式设备的负载开关。
    - DC/DC 转换器:其低 RDS(on) 和高效能使得 GN2302 成为 DC/DC 转换器中的理想选择,特别是在需要高效率和高电流承载能力的情况下。
    使用建议:
    - 散热设计:尽管 GN2302 具有较好的热性能,但在高电流应用中仍需考虑适当的散热措施以防止过热。
    - 匹配其他元件:在设计电路时,应根据实际应用选择合适的驱动电路,确保 MOSFET 在正常工作范围内运行。

    5. 兼容性和支持


    GN2302 具有良好的兼容性,可与其他标准 SOT-23 封装的 MOSFET 互换。VBsemi 提供详细的技术支持文档,并设有服务热线(400-655-8788)为用户提供帮助。此外,VBsemi 官方网站也提供了丰富的资源和技术支持信息。

    6. 常见问题与解决方案


    问题1:如何确保 MOSFET 在高温环境下正常工作?
    解决方案:选择合适的散热措施,例如安装散热片或使用散热膏,确保 MOSFET 的工作温度保持在安全范围内。
    问题2:如何避免 MOSFET 在高电流下烧毁?
    解决方案:合理设计驱动电路,确保 MOSFET 不会超过其最大电流限制。同时,在实际应用中注意监测其工作状态,防止过载。
    问题3:如何正确选择 VGS 驱动电压?
    解决方案:根据应用需求选择合适的 VGS 驱动电压。通常情况下,VGS 越高,导通电阻越低,但需要注意不能超过最大门限电压。

    7. 总结和推荐


    综上所述,GN2302 N-Channel 20 V MOSFET 在性能、可靠性和成本效益方面表现出色,适用于多种应用场景。其低导通电阻、快速开关特性和环保特性使其成为市场上的有力竞争者。对于需要高效能、低功耗和环保要求的应用场合,GN2302 是一个值得推荐的选择。

GN2302-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V
配置 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 8V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 450mV~1V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 6A
Vds-漏源极击穿电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

GN2302-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

GN2302-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 GN2302-VB GN2302-VB数据手册

GN2302-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
115+ ¥ 0.2328
300+ ¥ 0.2156
500+ ¥ 0.207
3000+ ¥ 0.1984
库存: 400000
起订量: 115 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:115
合计: ¥ 26.77
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0