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AFN3432TS6RG-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,6A,RDS(ON),30mΩ@10V,40mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.2Vth(V) 封装:SOT23-6 具有小型封装和低功耗特性,能够满足小型电子设备和低功率应用的要求,是一款适用于小型电路控制和低功率应用的高性能MOSFET产品。
供应商型号: AFN3432TS6RG-VB SOT23-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) AFN3432TS6RG-VB

AFN3432TS6RG-VB概述


    产品简介


    N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
    本产品是一款适用于直流转换器和高速开关应用的沟槽式功率场效应晶体管(TrenchFET® Power MOSFET)。其具备低导通电阻(RDS(on))和高可靠性等特点,满足RoHS标准,不含卤素材料,特别适合工业和消费电子应用。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压(VDS) | 30 | V |
    | 最大连续漏极电流(ID) | 6(TA=25°C)
    5.5(TA=70°C) | A |
    | 最大脉冲漏极电流(IDM) | 25 | A |
    | 最大耗散功率(PD) | 2.5(TA=25°C)
    1.6(TA=70°C) | W |
    | 工作温度范围(TJ, Tstg) | -55 至 150 | °C |
    | 热阻(RthJA) | 75 至 100 | °C/W |
    | 导通电阻(RDS(on)) | 0.023 Ω(VGS=10V)
    0.027 Ω(VGS=4.5V) | Ω |
    | 门极电荷(Qg) | 4.2 nC(VGS=4.5V)
    8.2 nC(VGS=10V) | nC |
    | 传输电容(Ciss, Coss, Crss) | 424 pF, 100 pF, 42 pF | pF |

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:RDS(on)值为0.023Ω(VGS=10V),0.027Ω(VGS=4.5V),确保高效电流传输和低功耗。
    2. 高温稳定性:最大工作温度达150°C,确保在高温环境下可靠运行。
    3. 快速响应:门极电荷低,响应时间短,适于高速开关应用。
    4. 环保材料:符合RoHS标准,不含卤素,适用于环保要求高的应用场合。
    5. 高可靠性:100%门极电阻测试,保证出厂质量。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - DC/DC 转换器:用于电源管理系统中,如笔记本电脑、服务器等。
    - 高速开关电路:例如电动工具、家用电器中的电机驱动控制。
    使用建议
    1. 散热管理:由于最大耗散功率为2.5W(TA=25°C),在设计时需注意良好的散热措施,防止过热损坏。
    2. 输入电容选择:为了减小寄生电感和电容,输入电容的选择要尽量靠近芯片引脚,并使用低ESR电容。
    3. 布局优化:采用较短的走线连接漏极和电源,以减少寄生电感,提高开关效率。

    兼容性和支持


    - 兼容性:此产品与常见的电路板和控制器高度兼容,广泛应用于各类电力电子产品。
    - 技术支持:VBsemi提供详尽的技术文档和支持服务,包括设计指南、应用手册及在线客服,帮助客户顺利应用此产品。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过热导致系统不稳定 | 改善散热设计,增加散热片或风扇 |
    | 开关速度慢 | 优化PCB布局,减少寄生电感 |
    | 门极电压过高导致击穿 | 使用合适的栅极电阻,避免过压 |
    | 高频噪声干扰 | 加强EMC设计,使用屏蔽材料 |

    总结和推荐


    AFN3432TS6RG 是一款高性能的N-Channel 30 V MOSFET,具备低导通电阻、宽工作温度范围和高可靠性等优点,适用于多种应用场景。特别是对于需要高频操作和良好散热管理的电路,本产品表现出色。综合来看,AFN3432TS6RG 是值得推荐的产品。建议在设计电路时充分考虑其电气特性和散热需求,以发挥最佳性能。

AFN3432TS6RG-VB参数

参数
栅极电荷 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 30mΩ@10V,40mΩ@4.5V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 6A
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
通用封装 SOT-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

AFN3432TS6RG-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

AFN3432TS6RG-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 AFN3432TS6RG-VB AFN3432TS6RG-VB数据手册

AFN3432TS6RG-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
35+ ¥ 0.7779
100+ ¥ 0.7203
500+ ¥ 0.6915
3000+ ¥ 0.6627
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交货地:
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型号 价格(含增值税)
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