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WFP840B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 500V,13A,RDS(ON),660mΩ@10V,20Vgs(±V);3.1Vth(V) 封装:TO220一款Single N结构的功率MOSFET,具有中等电压和电流特性,该器件适用于电源模块.
供应商型号: WFP840B-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) WFP840B-VB

WFP840B-VB概述

    WFP840B N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    WFP840B 是一款高性能的 N-通道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于开关电源、电机驱动、照明系统、以及需要高电流和高频开关的工业应用。 它具备低导通电阻(RDS(on))、低门极电荷(Qg)等特性,能够在多种环境下提供高效可靠的性能。

    技术参数


    - 基本参数:
    - 漏源电压 (VDS):500V
    - 栅源电压 (VGS):±20V
    - 连续漏极电流 (ID):TC = 25°C 时 13A,TC = 100°C 时 8.1A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):50A
    - 最大耗散功率 (PD):TC = 25°C 时 250W
    - 最大结到外壳热阻 (RthJC):0.50°C/W
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压 (VDS):500V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)):2.0~4.0V
    - 栅源泄漏电流 (IGSS):±20V 时 ≤ 100nA
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS):500V 时 ≤ 25μA
    - 动态参数:
    - 输入电容 (Ciss):1910pF
    - 输出电容 (Coss):290pF
    - 反向传输电容 (Crss):11pF
    - 总栅电荷 (Qg):81nC
    - 栅源电荷 (Qgs):20nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):36nC
    - 开关时间:
    - 开启延迟时间 (td(on)):15ns
    - 上升时间 (tr):39ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)):39ns
    - 下降时间 (tf):31ns

    产品特点和优势


    WFP840B 具备以下特点和优势:
    - 低栅电荷:较低的栅电荷使得驱动要求更加简单,降低了驱动电路的设计复杂度。
    - 坚固耐用:改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 的坚固性。
    - 完全表征:其电容和雪崩电压已经过充分表征,确保稳定性和可靠性。
    - RoHS 合规:符合欧盟的 RoHS 指令 2002/95/EC,无有害物质。

    应用案例和使用建议


    WFP840B 适用于以下场景:
    - 开关电源:用于开关电源中的功率转换,提高能效。
    - 电机驱动:在电机控制系统中,实现高效和可靠的电机驱动。
    - 照明系统:应用于照明系统的电源管理和调光控制。
    使用建议:
    - 确保驱动电路设计合理,避免栅极驱动信号过载。
    - 使用适当的散热措施,以确保在高功率运行下保持良好的散热效果。
    - 选择合适的外部组件,以减少寄生电感和电容的影响。

    兼容性和支持


    WFP840B 与其他电子元器件具有良好的兼容性,可以在多种电路配置中使用。制造商提供技术支持和维护服务,以确保客户能够充分利用其性能。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决办法:
    - Q:如何确定最佳的驱动电阻 (Rg)?
    - A: 通常根据 VDS 和 ID 选择合适的 Rg,以确保 MOSFET 在开关过程中不发生过压和过流现象。可以通过测试确定最优值。
    - Q:MOSFET 发热严重怎么办?
    - A: 确保良好的散热设计,可以使用散热片或风扇来帮助散热。同时检查电路设计是否存在问题,如驱动电阻过大等。

    总结和推荐


    总体来说,WFP840B N-Channel MOSFET 是一款出色的功率 MOSFET,适合应用于高电流和高频开关的应用场景。 其低导通电阻和坚固耐用的特点使其在市场上具有很强的竞争力。如果您正在寻找一种高效且可靠的功率 MOSFET,强烈推荐使用 WFP840B。

WFP840B-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.1V
Vds-漏源极击穿电压 500V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 13A
Rds(On)-漏源导通电阻 660mΩ@ 10V
配置 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

WFP840B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

WFP840B-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 WFP840B-VB WFP840B-VB数据手册

WFP840B-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 3.4551
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型号 价格(含增值税)
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