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TSM20N50CI-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 用于工业电机调速控制的电力电子调速器中,该型号的MOSFET可以实现高效的电能转换和调节,提高设备的运行效率。
供应商型号: TSM20N50CI-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) TSM20N50CI-VB

TSM20N50CI-VB概述


    产品简介


    TSM20N50CI N-Channel 650V Super Junction MOSFET 是一款高性能的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),专为高效率电源转换应用设计。该产品具有低导通电阻、低输入电容和超低门极电荷等特点,适用于各种严格的工业、消费、计算及可再生能源领域。

    技术参数


    - 最大耐压(VDS):650V
    - 最大导通电阻(RDS(on)):0.19Ω (在25°C,VGS=10V)
    - 最大门极电荷(Qg):106nC
    - 门极-源极电荷(Qgs):14nC
    - 门极-漏极电荷(Qgd):33nC
    - 连续漏极电流(ID):20A(在TC=25°C下)至13A(在TC=100°C下)
    - 脉冲漏极电流(IDM):60A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):367mJ
    - 工作温度范围(TJ, Tstg):-55°C至+150°C

    产品特点和优势


    TSM20N50CI 的主要特点是其低栅极电荷(Qg)和低反向恢复时间(trr)。这些特性使得它非常适合于需要高速开关的应用。同时,该产品具备低输入电容(Ciss),从而减少了开关过程中的损耗。此外,其独特的超结结构使其能够提供更低的导通电阻,从而提高整体能效。

    应用案例和使用建议


    该产品广泛应用于多种领域,例如:
    - 电信:服务器和电信电源供应系统。
    - 照明:高强度放电(HID)灯和荧光灯泡照明系统。
    - 消费和计算:ATX电源供应系统。
    - 工业:焊接机和电池充电器。
    - 可再生能源:太阳能光伏逆变器。
    - 开关模式电源供应系统(SMPS):用于各种电源变换需求。
    使用建议:
    - 在高频应用中,需要注意控制门极电阻(Rg),以减少开关损耗。
    - 使用适当的散热措施,确保在高功率应用中的热稳定性。
    - 对于关键应用,建议进行详细的热仿真和实际测试,以验证产品的可靠性和性能。

    兼容性和支持


    该产品采用标准TO-220AB封装,与同类MOSFET产品具有良好的兼容性。供应商VBsemi提供详尽的技术支持和售后服务,包括但不限于:
    - 产品规格书和应用指南。
    - 热管理建议和技术文档。
    - 客户技术支持和故障排除帮助。

    常见问题与解决方案


    - Q: 开关频率过高导致发热过快怎么办?
    - A: 减少开关频率或增加散热措施,如加装散热片或风扇。

    - Q: 开关过程中噪音过大怎么办?
    - A: 检查门极电阻值(Rg)是否合理,并适当调整以降低EMI干扰。

    - Q: 需要如何优化门极驱动电路?
    - A: 增加门极驱动电路的RC滤波器以减少噪声,确保门极信号的稳定性和可靠性。

    总结和推荐


    TSM20N50CI凭借其出色的性能参数和多功能性,适合在多种高要求的应用环境中使用。尤其是其在高频率和高功率应用中的出色表现,使其成为电源转换领域的理想选择。如果你正在寻找一款高效、可靠的MOSFET来优化你的电力系统,TSM20N50CI是一个值得考虑的优秀选项。

TSM20N50CI-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 30V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 20A
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

TSM20N50CI-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

TSM20N50CI-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 TSM20N50CI-VB TSM20N50CI-VB数据手册

TSM20N50CI-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 10.4954
100+ ¥ 9.718
500+ ¥ 8.9405
1000+ ¥ 8.5518
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型号 价格(含增值税)
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