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HUF75639S3ST-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,70A,RDS(ON),18mΩ@10V,22mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: HUF75639S3ST-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HUF75639S3ST-VB

HUF75639S3ST-VB概述

    Power MOSFET HUF75639S3ST 技术手册概述

    产品简介


    HUF75639S3ST 是一款高性能的 N-通道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种工业及消费电子产品。其独特的表面贴装设计使其在空间受限的应用中表现出色。该产品主要用于电力转换和电机控制等高要求的电力系统中。

    技术参数


    以下是 HUF75639S3ST 的主要技术规格:
    - 漏源电压 (VDS):100 V
    - 门源电压 (VGS):±20 V
    - 连续漏极电流 (ID):25 °C 时为 70 A,100 °C 时为 56 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):250 A
    - 最大耗散功率 (PD):25 °C 时为 3.1 W
    - 输入电容 (Ciss):1300 pF
    - 输出电容 (Coss):430 pF
    - 反向传输电容 (Crss):130 pF
    - 总门电荷 (Qg):70 nC
    - 门源电荷 (Qgs):13 nC
    - 门漏电荷 (Qgd):39 nC
    - 最大开关速度 (dV/dt):5.0 V/ns

    产品特点和优势


    HUF75639S3ST 具有多项显著优势:
    - 低导通电阻 (RDS(on)):在 VGS = 10 V 条件下为 0.020 Ω,确保高效率和低损耗。
    - 快速开关:适用于高频开关应用,减少热损耗。
    - 全雪崩额定值:能够承受重复雪崩事件,适用于严苛的工作环境。
    - 符合环保标准:无卤素,符合 RoHS 指令,适用于环保要求严格的应用。

    应用案例和使用建议


    HUF75639S3ST 适用于以下应用:
    - 电机控制:用于驱动高功率电机。
    - 电源转换:适用于直流到交流逆变器等应用。
    - 工业自动化:适合于需要高可靠性的工业控制系统。
    使用建议:
    - 在高功率应用中,确保良好的散热设计以避免过热。
    - 使用合适的栅极驱动电路,以充分利用其快速开关特性。

    兼容性和支持


    HUF75639S3ST 可与标准的表面贴装工艺兼容,如贴片机自动组装。VBsemi 公司提供全面的技术支持和售后保障,确保客户在使用过程中能够获得及时的帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何选择合适的栅极电阻?
    - 答: 需根据应用中的频率和驱动电压来选择。通常在 25 Ω 到 100 Ω 之间,具体需根据应用验证。
    2. 问:工作温度范围是多少?
    - 答: 运行温度范围为 -55°C 至 +150°C,存储温度范围为 -55°C 至 +150°C。
    3. 问:最大单脉冲雪崩能量是多少?
    - 答: 最大单脉冲雪崩能量为 580 mJ。

    总结和推荐


    综上所述,HUF75639S3ST 是一款高效能、可靠性强且应用广泛的 N-通道功率 MOSFET。其出色的性能和多功能性使其成为各种电力转换和电机控制应用的理想选择。强烈推荐在需要高功率密度和可靠性的应用中使用此产品。

HUF75639S3ST-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Id-连续漏极电流 70A
Rds(On)-漏源导通电阻 18mΩ@10V,22mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
配置 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

HUF75639S3ST-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HUF75639S3ST-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 HUF75639S3ST-VB HUF75639S3ST-VB数据手册

HUF75639S3ST-VB封装设计

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